Стабилизация частоты генераторов

Общие сведения. Частота колебаний автогенератора определяет­ся его режимом работы и параметрами контура. В процессе работы генератор подвергается различным воздействиям (изменениям тем­пературы,, напряжения, влиянию других усилительных каскадов), вы­зывающим изменение частоты. Уменьшение влияния этих факторов достигается параметрической и кварцевой стабилизациями.

Параметрическая стабилизация частоты осуществляется подбо­ром элементов схемы (конденсаторов, катушек индуктивности, резис­торов, транзисторов), параметры которых в процессе работы изменя­ются мало. Температурные влияния уменьшают с помощью терми­ческой герметизаций контуров генераторов в специальных термостатах, с использованием конденсаторов с отрицательными ТКЕ, компенсирующих увеличение емкости других элементов схемы. Влияние колебаний питающих напряжений снижают, применяя ста­билизаторы напряжения и тока. Электромагнитные влияния ослаб­ляют, рационально размещая элементы схемы и экранируя их.

Рис 106. Эквивалентные схемы кварцевого резонатора (а, б) и гра­фики реактивного (в) и полного (г) сопротивлений кварца

Кварцевая стабилизация, наиболее эффективный способ повы­шения устойчивости частоты генераторов, основана на применении в схемах кварцевых пластин с сильно выраженным пьезоэлектрическим эффектом. Если к пластине кварца приложить переменное напря­жение (поместить ее в электрическое поле ВЧ), то она испытывает периодические механические деформации, т. е. сжимается и разжи­мается, что в свою очередь вызывает появление электрических заря­дов на ее гранях. В результате в цепи (между входными зажимами) проходит переменный ток, имеющий две составляющие. Реактивный ток Iс проходит через емкость, образованную металлическими пла­стинами кварцедержателя. Ток кварца Iк обусловлен наличием пье-зоэффекта и зависит от частоты приложенного напряжения. Когда частота подведенного переменного напряжения совпадает с собст­венной частотой механических колебаний кварца, наступает резо­нанс, при котором амплитуда колебаний будет максимальной.
При этом пьезоэлектрический ток будет наибольшим, а его фаза совпадет с фазой приложенного напряжения. Поэтому вблизи резонансных частот кварцевую пластину можно представить в виде последова­тельного контура с сосредоточенными постоянными LK, CK, гк (рис, 106,а) и параллельно подключенной к нему статической емкостью кварцедержателя Со (рис. 106,6). Практически емкость С0 в сотни раз больше эквивалентной емкости кварца, поэтому собственная резонансная частота кварца как последовательного контура w1k= 1 / \/ LKCK близка к собственной частоте эквивалентного парал­лельного контура w2K=l/ sql( LK(1 — ck/С0)). Поскольку Со>>Ск, час­тота параллельного резонанса w2к отличается от частоты последо­вательного резонанса w1K незначительно. Относительный разнос частот

(w2к — w1к)/w1к=Ск/2С0~ 0,005-0,5 %.

На рис. 106, б, г показана зависимость реактивного хк и полного 2К сопротивлений кварца от частоты (без учета активных потерь в нем). Из графиков следует, что при w2к>w>w1к сопротивление кварца носит индуктивный, а при w<w1к и й)>w2к — емкостной характер.

Стабильность частоты автоколебаний в зависимости от измене­ний емкости С0 и Ск Дw2к= — wlK(AC0/2C0- (СК/С0) и Дсо2к=w1к(АСк/2Со). Из равенств следует, что изменение емкости С0 в Со/Ск раз меньше влияет на частоту, чем изменение емкости Ск. Практически С0/Ск=102-104, поэтому изменение внешней емкости схемы кварцевого автогенератора, подключенной параллельно Со, слабо влияет на частоту автоколебаний.

Добротность кварцевого резонатора на частоте последователь­ного резонанса

где



 — характеристическое сопротивление кварца.

Благодаря большой индуктивности LH и малой емкости О* ве­личины рк и QK достигают значений, во много раз превышающих их значения в обычных электрических контурах, что обеспечивает малое затухание и очень высокую стабильность резонансной частоты кварцевого контура.



Рис. 107. Схемы транзисторных кварцевых автогенераторов: а — с включением кварца в цепь обратной связи, б — мостовая u



Автоколебания в кварцеврм автогенераторе возможны только на частотах, соответствующих высокому значению крутизны фазовой характеристики, т. е. вблизи частоты w1K или w2к. В обоих случаях сопротивление кварца хк носит индуктивный характер, (см. рис. 106, в). На частотах, соответствующих емкостному характеру сопро­тивления, кварц не возбуждается. Наибольшую добротность имеют кварцы, возбужденные на 5 — 7-й механических гармониках.

Основные электрические параметры кварцевого резонатора (час­тота последовательного w1K и параллельного w2к резонансов, добротность QK, температурный коэффициент частоты ТКЧ, предельно до­пустимая мощность рассеивания Рк) определяются геометрическими размерами, типом среза пластин и видом колебаний (на основной или механической гармонике возбуждения). Для различных видов среза собственная частота кварца, МГц, колеблется в пределах; fo=l,6/d-3,5/d, где d — толщина пластины, мм. Например, для пластины х-среза и колебаний по толщине (вдоль оси х) собственная частота равна 2,836/d,

Схемы кварцевых автогенераторов. Существует два основных типа схем кварцевых автогенераторов: осцилляторные и с затягива­нием.

В осцилляторных схемах используется свойство кварца сохра­нять индуктивный характер сопротивления в узком интервале час­тот, лежащих между частотами последовательного w1k и параллель­ного w2к резонанса (см. рис. 106,е). Осцилляторные схемы собраны по типу трехточечных. В них кварц включается в такие участки схе­мы, сопротивление которых для выполнения фазового условия само­возбуждения должно иметь индуктивный характер.

В схемах с затягиванием в состав колебательной системы кроме кварца включается катушка индуктивности или дополнительный кон­тур, поэтому в схемах возможны колебания даже при емкостном

характере сопротивления кварца, т. е. при отсутствии -кварцевой ста­билизации. При работе с затягиванием на частоту автоколебаний влияют параметры схемы генератора, поэтому эти схемы применяют реже осцилляторных.



Схемы, в которых осуществляется компенсация статической ем­кости кварца, относят к компенсационным. Различают схемы с воз­буждением кварца на основной частоте и на механических гармони­ках.

В наиболее распространенных схемах транзисторных автогене­раторов с включением кварца в цепь обратной связи (рис. 107, а) и мостовой (рис. 107, б) возбуждение кварца возможно на основной частоте последовательного резонанса w1К или на нечетной механи­ческой гармонике wn~nw1K. В этих схемах возникновение автоколе­баний возможно лишь на частоте последовательного резонанса tuiK или тощ, на которой сопротивление кварца гк мало, вследствие чего оказывается замкнутой цепь обратной связи база — коллектор.

При отклонении частоты колебательного контура от резонанс­ной oik пьезокварц вносит дополнительный фазовый сдвиг, из-за чего нарушается фазовое условие самовозбуждения. Дополнитель­ная емкость Сн в мостовой схеме (см. рис. 107,6) включена для нейтрализации статической емкости кварца, через которую возможна дополнительная паразитная связь. В схеме, показанной на рис. 107,а, компенсация этой емкости возможна с помощью параллель­ного подключения к кварцу индуктивности.

Структурные схемы приемников

По принципу усиления принимаемого сигнала различают радио-, вещательные приемники прямого усиления, в которых сигнал уси­ливается непосредственно, и супергетеродинные, в которых усиление сигнала осуществляется на промежуточной частоте, получаемой в результате преобразования частоты принимаемого сигнала. Выбор схемы приемника зависит от его назначения и предъявляемых к нему, требований. Схемы прямого усиления применяют в основном для малогабаритных транзисторных приемников (микроприемников), рассчитанных на прием мощных или близлежащих радиостанций. В других случаях применяют преимущественно приемники, собран­ные по супергетеродинной схеме. Качественные показатели радиове­щательных приемников приведены в табл. 134.

Таблица 134

Параметры радиоприемников	Классы
	высший		I		II	III	IV
Диапазоны принимаемых час­тот: ДВ, кГц	150 — 408
СВ, кГц	525 — 1605
KB, МГц	3,95 — 12,1					—
УКВ, МГц	65,8 — 73						—
Промежуточная частота: ДВ, СВ и KB, кГц	465
УКВ, МГц	8,4 6,5		6,5				—
Чувствительность с внешней ан­тенной, мкВ: ДВиСВ	50		150			200	300
КВ	50		200			—
УКВ	4		10 20			30	—
Чувствительность с внутренней магнитной ан­тенной, мВ/м: ДВ	—		1		2	2,5	3
СВ 258	—		0,7		1	1,5	2
Избирательность ДВ и СВ, дБ	60		46	34		26	16 — 20
Крутизна ската резонансной характеристики на УКВ, дБ/кГц	0,25		0,2	0,17		0,15	—
Ослабление зер­кального кана­ла, дБ:
ДВ	60		46	40		20 — 26	16 — 20
СВ	50		26			20	20
КВ	26		14	12		—	—
УКВ	30		24			20	—
Действие автоматической ре­гулировки уси­ления на ДВ-, СВ- и КВ-диа-пазонах, дБ:
изменение на­пряжения на входе	60		40	26		25	26
соответству­ющее измене­ние на выходе	8		12	10		12	12
Ручная регули­ровка громко­сти, дБ	60		50			30 — 40
Уровень фона, дБ:
с антенного входа	— 54		— 44	— 40		— 30	—30
с входа уси­лителя низ­кой частоты	— 60		— 50	— 46		— 36
Частотная харак­теристика при­емников на ДВ, СВ и KB, Гц:
непереносные мебельные непереносные настольные переносные	40 — 6000 60 — 6000 —	60 — 4000 80 — 4000 150 — 4000		80 — 4000 100 — 4000 200 — 4000		— 150 — 3500 300 — 3500	— 200 — 3000 450 — 3000
Частотная харак­теристика при­емников на УКВ, Гц:
непереносные мебельные непереносные настольные переносные	40 — 15000 60 — 15000	60 — 12000 80 — 12000 150 — 12000		80 — 10000 100 — 10000 200 — 10000		— 120 — 7000 300 — 7000	— 200 — 6000 —
Потребление элек­троэнергии при­емниками, Вт:
непереносные батарейные переносные батарейные	4 —	3,5 2		1,2		0,5 0,5	0,3 0,3
Напряжения пи­тания от сети, В:
номинальные	127и220
предельные	114 — 140 и 198 — 242
Напряжения пи-тания от бата­реи, В:
номинальные	120 или 9			9		9 или 4, 5
предельные	7,2или5,6			5,6		5,6 или 2,8

Рис. 110. Структурные схемы приемников: а — прямого усиления, б — супергетеродинная

Приемники прямого усиления (рис. 110, а) содер­жат: входные устройства, выделяющие сигнал, принятый антенной А; один или два каскада усиления высокой радиочастоты УРЧ; де-текторный каскад Дет; двух- и трехкаскадный усилитель напряже­ния модулирующей частоты УНМЧ, нагруженный на громкогово­ритель Гр или телефон Тф, и устройства электропитания УЭ.

В таких приемниках иногда применяют рефлексные схемы, в которых один и тот же каскад используется для усиления принятых модулированных ВЧ- и НЧ-колебаний, получаемых в результате детектирования. Приемники прямого усиления обычно работают %. одном (СВ или ДВ) диапазоне. Прием сигнала в них осуществля­ется на встроенную в приемник малогабаритную магнитную антенну ДМ. Для повышения чувствительности и избирательности детектор­ный каскад приемника может .быть выполнен по регенеративной схе­ме (с положительной обратной связью).

Микроприемники прямого усиления, содержащие 2-3 каскада УРЧ и такое же количество каскадов УНМЧ (без положительной обратной связи ВЧ), обладают чувствительностью 30 — 60 мВ/м. Эти приемники имеют лишь по одному резонансному контуру (контур магнитной антенны), поэтому их избирательность невысока (ослаб­ление сигнала при расстройке контура на 30 кГц может достичь лишь 10 дБ).

Полоса воспроизводимых частот при приеме на ушной телефон порядка 300 — 3000 Гц, а выходная мощность — 0,1 — 0,3 мВт. Элек­тропитание может осуществляться от гальванических элементов или двух-трех последовательно соединенных аккумуляторных или оксидно-ртутных элементов.

В супергетеродинных приемниках усиление сигна­лов осуществляется не на принятой, а на промежуточной частоте, получаемой в результате преобразования несущей частоты сигнала, поэтому в схеме снижаются нежелательные обратные связи и повы­шается устойчивость. В результате увеличения числа каскадов уси­ления промежуточной частоты УПЧ повышается избирательность.


Супергетеродинные приемники могут быть собраны по упрощенной (без каскада УРЧ) или более сложной (с УРЧ и рядом других эле­ментов) схеме. По сложной схеме выполняют большинство совре­менных радиовещательных приемников.

Типовая упрощенная схема портативного (переносного) транзис­торного супергетеродинного приемника для СВ- и ДВ-диапазонов (рис. 110,6) содержит: преобразователь частоты Пр (смеситель См с гетеродином Гт, выполненные на одном транзисторе); фильтр со­средоточенной селекции ФСС; 2 — 3 каскада УПЧ; детектор Дет; 2 — 3 каскада УНМЧ (два каскада предварительного усиления НМЧ ПУНМЧ и оконечный обычно двухтактный каскад ОкУНМЧ); гром­коговоритель Гр; устройства электропитания УЭ.

В большинстве транзисторных приемников с широкополосными УПЧ (обычно при fпp=465 кГц ширина полосы пропускания Дf= 50-т-100 кГц) требуемая избирательность обеспечивается фильт­ром ФСС, включаемым между преобразователем и УПЧ или между отдельными каскадами УПЧ. Фильтр выполнен на пьезокерамичес-ких элементах в виде двух-четырех связанных между собой ре­зонансных контуров, настроенных на несущую промежуточную час­тоту. Применение сосредоточенной селекции ослабляет, влияние из­менений температуры и напряжения источника, а также разброса параметров на избирательность, ширину и равномерность полосы пропускания приемника. Чувствительность таких приемников 1,5 — 3 мВ/м при уровне сигнала на 20 дБ выше уровня шумов.



Рис. 111. Схемы супергетеродинных приемников: я — для KB, СВ и ДВ, б — для УКВ, KB, СВ. ДВ, в — стереофонического

Типовая схема переносного транзисторного супергетеродинного приемника с КВ-диапазоном показана на рис. 111, а. Особенностью этой схемы является, исполнение преобразователя частоты Пр на двух транзисторах (на одном собран гетеродин Гт, а на другом — смеситель См), чем достигается устойчивая работа преобразователя на всех рабочих (ДВ, СВ, KB) диапазонах. На КВ-диапазоне прием сигнала возможен на штыревую телескопическую антенну или магнитную с сердечником из феррита, при приеме КВ-передач на штыревую антенну чувствительность приемника 20 — 30 мкВ.



Для приема частотно-модулированных сигналов в.УКВ-диапа-зоне приемники содержат входной УКВ-блок (рис. 111,6), состоя­ щий из резонансного широкополосного каскада УРЧ ЧМ и первого преобразователя Пр1 (включающего смеситель СмЧМ и первый ге­теродин Гт1). Прием сигнала на УКВ ведется на наружную диполь-ную антенну А или петлевой диполь, встроенный в футляр радио­приемника. Этот же внутренний диполь можно использовать как несимметричную антенну для приема в КВ-диапазоне. На выходе УКВ-блока выделяют ЧМ колебания промежуточной частоты со средней частотой 6,5 или 8,4 МГц.

Амплитудно-модулированные, колебания ДВ, СВ и КВ-диапазо-нов поступают в приемнике на второй преобразователь Пр2, со­стоящий из смесителя СмАМ и второго гетеродина Гт2. На выходе преобразователя Пр2 выделяют AM колебания ПЧ обычно со средней частотой 465 кГц. При переключении приемника на прием сигна­лов в УКВ-диапазоне преобразовательный каскад Пр2 используют в качестве УПЧ ЧМ колебаний, поступающих из УКВ-тракта.

Дальнейший усилительный тракт приемника (тракт УПЧ) яв­ляется общим для AM и ЧМ колебаний ПЧ. Тракт от УПЧ до входа УНМЧ сделан комбинированным. В нем осуществляется детектиро­вание колебаний ПЧ как с амплитудной модуляцией (детектором Дет. AM), так и частотной (детектором fler. ЧМ).

Колебания звуковых частот, получаемые на выходе детектора, поступают в тракт усиления НЧ УНМЧ. Усилители НМЧ стационар­ных приемников должны пропускать более широкую полосу воспро­изводимых звуковых частот, чем усилители переносных приемников. Например, при приеме ЧМ-сигнала полоса воспроизводимых частот может составить от 70 — 150 до 10000 — 12000 Гц. Такие приемники обычно нагружаются на несколько более мощных головок громкого­ворителей (Гр1, Гр2), обладающих лучшими частотными характе­ристиками. УНМЧ стационарных приемников снабжают регулятора­ми тембра.

Стереофонические приемники после детектора содержат стерео-декодер Стд и два одинаковых УНМЧ (рис. 111,0).Усилители напряжения модулирующей частоты приемников могут быть рассчита­ны на усиление сигнала с различных видов звуковоспроизводящей аппаратуры. Например, для воспроизведения грамзаписи предусмат­ривается высокоомный вход УНМЧ, т.е. гнезда для подключения звукоснимателя Зв.

Если в общем футляре с приемником смонтировать электропро­игрыватель пластинок, можно получить комбинированный приемник — > радиолу.

Обязательным элементом супергетеродина является система ав­томатического регулирования усиления АРУ. Она нужна для устра­нения «замираний» громкости радиопередач, наблюдаемых при при­еме сигналов отдаленных станций. Кроме АРУ к вспомогательным устройствам приемника, не включаемым в основной тракт приема, относят устройства индикации настройки ИН, обычно подключаемые в схеме на выходе детектора.

Светодиоды

Основой полупроводниковых светодиодов является электронно-дырочный переход, который излучает свет при прохождении через него прямого тока. Излучение светодиодов может лежать в видимой части спектра или в инфракрасном диапазоне.

Эффективность работы светодиодов оценивают следующими па­раметрами.

силой света IL — световым потоком, излучаемым светодиодом, в направлении, перпендикулярном плоскости кристалла;

Рис. 51. Общий вид и габаритные размеры светодиодов (а-г)

Таблица 104

Параметры	Типы светодиодов
	АЛ102А	АЛ102Б	АЛ102В	АЛ102Г
Яркость свечения, кд/м2	5	40	50	10
Постоянное Прямое напря-	3,2	4,5	4,5	3
жение, В			1
Обратное напряжение, В	6	6	6	—
Постоянный прямой ток,
мА, при температуре, °С:
50 — 70	10	10	20	10
от — 60 до +50	10	20	20	10

яркостью L — отношением силы света светодиода к площади светящейся поверхности;

постоянным прямым напряжением Uпр — напряжением на свето­диоде при прохождении постоянного прямого тока;

Максимально допустимыми постоянными прямым током Iпр.макс и обратным напряжением Uобр.макс, при которых обеспечивается за­данная надежность при длительной работе светодиода.

Фосфидагаллиевые свётодиоды АЛ102 (А — Г) (рис. 51, а) при­меняются в качестве световых индикаторов красного (АЛ102А, Б. Г) и зеленого (АЛ102В) свечения с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 70 °С. Электрические параметры светодиодов--приведе­ны в табл. 104.

Таблица 105

	Типы светодиодов
Параметры	АЛ112А	АЛ112Б	АЛП2В	АЛП2Г	АЛ 112 Д	АЛ112Е	АЛП2Ж	АЛ112И
Яркость свечения, кд/м2,	1000	600	250	350	150	1000	600	250
при Iпр=10 мА
Постоянное прямое на-	2	2	2	2	2	2	2	2
пряжение, В, при IПр=
= 10 мА и температу-
ре 25°С
Максимально допусти-	10	10	10	11	11	11	11	11
мый постоянный пря-
мой ток, мА

Алюминиймышьякгаллиевые свётодиоды АЛ 112 (А — И) (рис. 51, б, в) используются в качестве индикаторов красного свечения и выпускаются с, диапазоном рабочих температур ot — 60 до +70°С, Электрические параметры приведены в табл. 105.

Арсенидогаллиевые свётодиоды АЛ307 (А, Б) (рис, 51, г) ис­пользуются в качестве индикаторов красного свечения и выпускают­ся с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70°С. Электриче-ческие параметры светодиодов приведены в табл. 106.

Таблица 106

Параметры	Типы светодиодов
	АЛ307А	АЛ307Б
Сила света, мкд, при Iпр=10 мА	0,15	0,3
Постоянное прямое напряжение, В, при Iпр=10 мА	2	2
Максимально допустимый постоянный пря мой ток, мА	20	20
Максимально допустимое обратное напряжение, В	2	2

Тиристоры

Тиристоры — полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой типа р-n-р-n с тремя взаимодействующими между собой p-n-переходами (рис. 49, а). Крайние p-n-переходы структуры назы­вают эмиттерными 9i и Эз, средний — коллекторным КП, а внут­ренние области, лежащие между переходами, — базами Б1 и Б2. В неуправляемых диодных тиристорах (динисторах) имеется два внешних токоотвода, подключаемых к крайним р- и n-областям. Управляемые триодные тиристоры (тринисторы) снабжены дополни­тельным токоотводом УЭ (рис. 49, в) от управляющего электрода — узкой базы Бз. Внешний источник U подключается «плюсом» к об­ласти р (аноду А), а «минусом» — к n (катоду K). При этом эмит-терные переходы Э1 и Э2 получают прямое смещение и работают в режиме инжекции; коллекторный переход получает обратное смеще­ние, сопротивление его велико, ток через структуру незначителен, поэтому все напряжение источника питания практически будет при­ложено к этому переходу. В таком режиме прибор закрыт.

При повышении напряжения U ток I через структуру будет рас­ти (рис. 49, б) сначала за счет увеличения прямого смещения эмит-терных переходов. При некотором напряжении U процесс бурно на­растает, приток основных носителей заряда в базах скомпенсирует их убыль, заряды станут равновесными, коллекторный переход ока­жется в равновесии. Когда приток основных носителей заряда в ба­зах станет превышать их убыль вследствие рекомбинации, база Б1 зарядится отрицательно, а база Б2 — положительно, коллекторный переход получит прямое смещение. В этом режиме эмиттерные Э1 и Э2 и коллекторный КП переходы получают лрямое смещение, со­противление структуры резко снизится, тиристор откроется. Выклю­чить динистор можно, сняв напряжение или снизив ток через него.

В тринисторе (рис. 49, в) между управляющим электродом УЭ и катодом K включается источник прямого, смещения эмиттерного перехода Э2, что позволяет регулировать ток инжекции, а следова­тельно, и напряжение включения Uвла.

Рис. 49. Структура и вольтамперные характеристики: а, б — динистора, в, г — тринистора

Вольтамперные характеристики динистора (рис. 49, б) и тринис-тора (рис. 49, г) имеют прямую и обратную ветви. Прямая ветвь ха­рактеристики содержит области: Г — непроводящего (закрытого) устойчивого состояния, при котором коллекторный переход - заперт напряжением внешнего источника; В — обратимого пробоя коллекторного перехода; Б — неустойчивого состояния с высоким отрицательным сопротивлением; А — устойчивого состояния с малым поло­жительным сопротивлением (область соответствует открытому со« стоянию прибора). Обратная ветвь характеристики содержит облас­ти высокого сопротивления Д и лавинного необратимого пробоя Е.

Основными параметрами динисторов и тринисторов являются:

максимально допустимое прямое напряжение Uпр.макс, при кото­ром происходит отпирание (включение) тиристора;

максимально допустимый прямой постоянный или средний ток. Iпр.макс, ограничиваемый разогревом прибора;

остаточное напряжение на открытом тиристоре Uост при задан­ном прямом токе;

максимально допустимое обратное напряжение UовР.макс, пре­вышение которого ведет к пробою эмиттерных переходов структуры;

ток выключения Iвыкл, ниже значения которого происходит вы­ключение прибора;

ток IУпр и напряжение Uyuf цепи управляющего электрода, при котором тиристор переходит из закрытого в открытое состояние;

максимально допустимые прямой и обратный токи Iупр.макс, Iупр.обр.макс и прямое и обратное напряжения Uyap макс и Uупр.о6р макс; допустимый прямой импульсный ток Iпр.и.макс;

прямой и обратный токи утечки Iут.ир и Iут.0бР при максимально допустимых напряжениях Uпр.макс и U0бР.макС;

ток и напряжение спрямления Iспр и Ucnp, соответствующие спрямлению Прямой ветви ВАХ тиристора;

максимально допустимая мощность РМакс, рассеиваемая на ти­ристоре;

минимальное напряжение U»ап.мин и ток Iзап.иин запирания ти-ристора в цепи управляющего электрода;

время включения твкл от момента подачи отпирающего импуль­са до уменьшения напряжения на тиристоре до 0,1 начального значе­ния;



время выключения твыкл, в течение которого на тиристор дол­жно подаваться выключающее напряжение, переводящее его в за­крытое состояние.

Кремниевые динисторы КН102 (А, Б, В, Г, Д, Ж, И) применя­ются для работы в импульсных схемах в качестве коммутирующих

элементов и выпускаются в метал­лическом корпусе (рис. 50, а) мас­сой 1,5 г, с диапазоном, рабочих температур от — 40 до 4-70°С. Электрические параметры динисто-ров приведены в табл. 103.



Рис. 50. Общий вид и габарит­ные размеры динисторов (а, б)

Таблица 103

	Типы динисторов
Параметры	КН102А	КШ02Б	КН102В	КН102Г	КН102Д	КН102Ж	КН102И
Прямое напря-	5	J	10	14	20	30	50
жение, В
Напряжение включения, В	20	28	40	56	80	120	150

Ток утечки, мкА, при 20 °С...... 2,5

Обратный ток утечки, мкА, при напряжении

-10 В................. 0,5

Ток выключения; мА, при UПР=2 В . . 0,1

Остаточное напряжение, В, при Iпр=200 мА 1,5

Прямой ток, мА........... 200

Амплитуда прямого тока, А, тимп = 10 см . 2

Обратное напряжение, В ....... 10

Кремниевые тринисторы КУ204 (А, Б, В) выпускаются в метал­лическом корпусе (рис. 40, б) массой 18 г, с диапазоном рабочих температур от — 25, до +70 °С. Электрические параметры приведены ниже.

	КУ204А	КУ204Б	КУ204В
Прямое напряжение, В . .	50	100	200

Ток утечки, мА, при +25 и — 25°С ........ 5

Импульсный ток спрямления, мА, при напряжении 20 В . 150

Импульсный ток запирания, мА, при максимальном запира­емом токе 2 А...... 400

Остаточное напряжение, В 3,2

Импульсное напряжение, В:

спрямления ...... 5

запирания ...... 36

Прямой ток, А..... 2

Минимальный прямой ток, А 1

Ток управляющего электро­да, А, при Тимп>10 мкс . . 0,6

Обратный ток помехи, мА, при — 25 °С...... 3

Обратное напряжение поме­хи, В.......... 3

Минимальное прямое напряже­ние, В........ 20

Длительность запирающего импульса, чмкс...... 120



Мощность рассеивания, Вт . 8

Кремниевые тринисторы КУ208 (А — Г) применяются в качестве симметричных управляемых ключей средней мощности в коммутаци­онных цепях автоматики и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 50, б) с винтом, массой 18 г, о диапазоном рабочих температур ot — 55 до +70°С. Электрические параметры тринисторов приведены ниже.

	КУ208А	КУ208Б	КУ208В	КУ208Г
Прямое и обратное напряжения, В ...	100	200	300	400

Ток утечки, мА ... 5

Ток выключения, мА, при Uпр=10 В и темпе­ратуре — 55 °С .... 150

Ток спрямления, мА, при Unp=10 В и темпе­ратуре — 55°С .... 250

Остаточное напряже­ние, В, при IПР=5 А . . 2

Напряжение спрямле­ния, В....... 7

Время включения, мкс 10

Время выключения, мкс при предельном прямом токе........ 150

Прямой ток управляю--щего электрода, мА . , 500

Импульсный ток уп­равляющего электрода,

А, При Тимп<50 МКС . . 1

Амплитуда напряже-ния на управляющем электроде, В..... 10

Наибольшая рабочая частота, Гц..... 400

Мощность рассеива­ния, Вт, при температу­ре, °С:

от — 55 до +55 . . 10

70........ 5

Транзисторы большой мощности

Низкочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ703 (А — Д) применяют для работы в выходных каскадах УНЧ и выпускают в металличес­ком герметичном корпусе массой 15 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +55 °С. Электрические параметры транзисторов поиведены ниже.

	ГТ703А	ГТ703Б	ГТ703В	ГТ703Г	ГТ703Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Uк=1 В, Iк=50 мА	30-70	50 — 100	30 — 70	50 — 100	20-45
Ток коллектору, А, в диапазоне ра­бочей темпера­туры ......			3,5
Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=10 В . .			50
Предельная ча­стота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при UK=2 В и Iк=0,5 А ...			10
Обратный ток коллектора *, мкА			500
Напряжение Uкэ, В, при Rб=50 Ом и Тк=55 °С .....	20	20	30	30	40
Напряжение Uкэ, В, в режиме насыщения при Iк=3 А ....			0,6
Напряжение Uбэ, В, в режиме насыщения ** при Iк=3 А . , . ,			1
Мощность, рас­сеиваемая кол­лектором, Вт:
с теплоотво-дом *** при TК<409С . .	15
без теплоот­вода ....	1,6
Тепловое со­противление пере- ход — корпус,
°С/Вт .....	3
Температура пе­рехода, °С . . .	85

* При напряжении коллектор — база, В, для групп ГТ703: 20 (А, Б), 80 (В! Г, Д). .

** При токе базы, мА, для групп ГТ703: 150 (А, Б), 90 (Б, Г) и 225 (Д). *** При температуре корпуса выше 40 °С мощность, Вт, Ркмакс= -=(85-Гс°С)/3.

Транзисторы n-р-n КТ704 (А, Б, В) применяют для работы в схемах строчной развертки цветных телевизоров и выпускают в ме­таллическом корпусе с монтажным винтом и жесткими выводами (рис. 67), массой 15,5 г. Электрические параметры приведены ниже.

Рис. 67. Цоколевка и основные размеры тран­зистора КТ704

	ГТ704А	ГТ704Б	ГТ704В
Статический коэффициент передачи тока при UK= 15 В и Iэ=1 А ....	15	15	15
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f= 1 МГц Uк=10 В и Iк=0,1 А .. . .	3	3	3
Ток коллектора, А: постоянный при Тк= +50°С		2,5
Импульсный, А .......		4
Начальный ток коллекто­ра, мА ........		5
Обратный ток эмиттера, мА, при Uб=4 В . . . .		100
Импульсное напряжение UK3, В, при Rб<10 Ом, гимп=10 мс и Q<50 . . .	1000	700	500
Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=2 Аи 7б=1,5А: база — эмиттер . . ,		3
коллектор — эмиттер		5
Постоянное напряжение икэ, в ........		200
Напряжение UЭб, В . ,		4
Ток базы, А ..... Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tй= - + 50°С . ......		2 15
Граничная частота пере­дачи тока, МГц ... . .		3
Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт .		5
Температура корпуса, °С		100
Температура перехода, °С		125

Среднечастотные. Транзисторы n-р-n КТ805 (А, Б) применяют для работы в выходных каскадах строчной развертки телевизоров, схемах зажигания автотракторных двигателей и выпускают в ме­таллическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68, а), массой 25 г (без накидного фланца) и 10 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры транзисторов приве­дены ниже.



Рис. 68. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ805, б — ГТ806 (К.Т808, К.Т809)

	КТ805А	КТ805Б
Статический коэффициент переда­чи тока при Uк=10 В и Iк=2 А при +20 и — 55 °С соответственно . . .	15 и 5
Модуль коэффициента передачи тока при ,Uк= 10 В, Iк=1 А и f= 10 МГц .......... .	2
Ток коллектора, А .......	5
Импульсный ток коллектора, А,
при Тимп=200 мкс и скважности 1,5	8
Импульсный начальный ток коллек­тора, мА, при Rб=10 Ом при 20 и 100°С соответственно ......	60 и 70
Обратный ток коллектора, мкА, при UK6 — 5 В .........	100
Ток базы, А . . .......	2
Импульсный ток базы, А, при тимп<20 мкс .........	2,5
Напряжения насыщения Uбэ и UMt
В, при Iк=5 А и I6=0,5 А .... Импульсное напряжение UK3 *, В, при tИМП<500 мкс с фронтом нара­стания тфн<15 ,мкс, Rб=10 Ом и Tп<1000С .	2,5 160	5 135
Напряжение UЭб, В .....	5
Мощность **, Вт, рассеиваемая коллектором, при ГК<500С . . .	30
Температура перехода, °С . . .	150

* В схеме строчной развертки телевизора для КТ805А импульсное напряжение Uкэ допускается 180 В при тимп<15 мкс и ТК<70°С. В диапазоне температур от 100 до 150 °С Uкэ снижается на 10% на каждые 10 °С от значения UK3 при 100 °С.

** В диапазоне температур от 50 до 100 °С мощность, Вт, Рк макс= «=(150-TК°С)/3,3.

Транзисторы р-n-р ГТ806 (А — Д) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 68,6), массой 28 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 55 до +55 °С.


Электрические парамет­ры приведены ниже.

	ГТ806А		ГТ806Б	ГТ806В	ГТ806Г	ГТ806Д
Статический ко­эффициент пере­дачи тока при Iк=10 А ....	10 — 100		10 — 100	10 — 100	10 — 100	10 — 100
Напряжение Uкб, В . ...»	75		100	120	50	140
Напряжение Uкэ, В, запертого транзистора при Uбэ=1 В ....	7Ь		100	120	50	140
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк== 15 А, Iб=2 А:
коллектор — эмиттер . . .		0,6
база — эмит­тер ....		1
Напряжение Uэб, В .....		1,5
Ток коллектора в режиме насыще­ния, А ....		.15
Ток коллектора запертого тран-зистора7 мА, при Uбэ=1 В и пре­дельно допусти­мых напряжени­ях UКЭ		15
Ток базы, А . .		3
Обратный ток эмиттера, мА, при Uэб = 1,5 В ...		8
Предельная ча­стота передачи то­ка, МГц, при UK= 5 В, Iк=1 А . .		10
Тепловое со­противление пе­реход — корпус, сС/Вт .....		2
Мощность, Вт, рассеиваемая кол­лектором, при тем­пературе корпуса, °С: 30 .....		30
55 .....		15 ,
Температура пе­рехода, °С . . ,		85
Время переклю­чения. МКС . . .		5

Транзистор n-р-n КТ808А выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68, б), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до тЫОО°С, Электрические параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=3 В и Iк=6 А................. 10 — 50

Модуль коэффициента передачи тока при f=3,5 МГц, Uк=10 В и Iэ = 0,5 А............. 2

Ток коллектора, А.............. 10

Начальный ток коллектора, мА, при Uкэ=120 В . . 3 Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=10 В и 1э=

= 0,5 А.................. 50

Ток базы, А................ 4

Емкость коллектора, пФ, при f=1 МГц и Uк6= 100-В 500 Напряжение UЭб, В, в режиме насыщения при Iк=6 А



и I6 = 0,6 А................. 2,5

Напряжение UKa, В, при Rо=10 Ом....... 120

Импульсное напряжение Dm, В, при тинп = 500 мкс, скважности 1,5 и TП<10°С........... 250

Напряжение UЭб, В............. 4

Тепловое сопротивление переход — корпус, °С/Вт . .. 2

Мощность, * рассеиваемая коллектором, Вт, при тем­пературе корпуса ниже 50 °С:

с теплоотводом.............. 50

без теплоотвода.............. . 5

Температура перехода, °С ......... . 150

* При температуре корпуса более 50 °С мощность, Вт, Ркмакс= (150-Тк)/2.

Транзисторы n-р-n КТ809А используют для работы в выходных каскадах строчной развертки, усилителях импульсных сигналов и других радиоэлектронных устройствах, их выпускают в металличе­ском корпусе с жесткими выводами (см. рис. 68,6), массой 22 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электриче­ские параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=5 В и Iк=2 А............15 — 100

Модуль коэффициента передачи тока при f= 3,5 МГц, Iк=0,5 А........... 1,5

Ток коллектора, А, в рабочем диапазоне темпе­ратуры................. 3

Импульсный ток коллектора, А, при тиып<400 мкс............... 5

Начальный ток коллектора, мА, при Uка=400В 6

Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=4 В . . 50

Ток базы, А.....,......... 1,5

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 2 А и Iб=0,4А:

коллектор — эмиттер.......... 1,5

база — змиттер............2,3

Напряжение UK3, В, при R6<100 Ом и темпе­ратуре от — 60 до +100 °С ......... 400

Напряжение UЭб, В, в диапазоне рабочих тем­ператур ................ 4

Граничная частота коэффициента передачи то­ка, МГц...............« 5,5

Продолжение

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, с

теплоотводом при Тк= — 60-+500С..... 40

Температура перехода, °С ......... 1ЗД

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Pк.макс= (150-Гк)/2,5.



Рис. 69. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — ГТ905, б — КТ907, в — КТ908, г — КТ911



Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ905 (А, Б) выпускают в металлопластмассовом или металлостеклянном корпусе (рис. 69, а), массой соответственно 7 и 4,5 г (с крепежным фланцем 6 г), с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент переда.чи тока при U„=10 В и Iк=3 А............35 — 100

Модуль коэффициента передачи тока для ГТ905Б при Uк=10 В, Iа=0,5 А и f=20 МГц . . 3

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UКб=30 В, Iэ=0,03 А и f=10 МГц .... 300

Ток коллектора, А:

постоянный............. 3

импульсный при тимп=?20 мкс...... 7

Ток базы, А:

постоянный.............0,6

импульсный............. 1

Обратный ток, мА:

коллектора ..... ........ 2

эмиттера при UЭб = 0,4 В ........ 5

Емкость коллектора, пФ, при UКб=30 В и f= 10 МГц................200

Напряжение, В, в режиме насыщения при 1К= 3 А и I6=0,5 А:

база — эмиттер . . ........... 0,7

коллектор — эмиттер . ......... 0,5

Напряжение Uкэ, В, при разомкнутой цепи ба­зы и Iэ = 3 А.............. 65

Напряжение Uкэ, В, для транзисторов:

ГТ905А............... 75

ГТ905Б............... 60

Напряжение Uкэ, В, на запертом транзисторе

для ГТ905А при тимп = 20 икс ........ 130

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт , , . t 50

Мощность, Вт, рассеиваемая коллектором:

с теплоотводом при Тк — — 55-+30°С ... 6

без теплоотвода при Гн== — 55-+25°С ... 1,2

Температура перехода, °С......... 85

Транзисторы n-р-n КТ907 (А, Б) выпускают в металлокерамическом корпусе с винтом и жесткими выводами (рис. 69, б) , массой 5,3 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Элект­рические параметры приведены в табл. 125.

Таблица 125

Параметры	Типы транзио торов
	ГТ907А	ГТ907Б
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ=28 В, Iк= 400 мА и f=100 МГц	3,5	3
Постоянная времени цепи обратной связи, не, при Uк=т10 В Критический ток коллектора, мА, при Uкэ=10 В и f= 100 МГц	15 1000	25 800
Выходная мощность, Вт, при РВх=4 Вт, UKЭ = 28 В и f= 400 МГц	9	7
Емкость коллектора, пФ, при UКб — 30 В	20	20

Начальный ток коллектора, мА, при UКэ = 60В, Rб=100 Ом и температуре среды 20 и 85 °С соот­ветственно ............... 3 и 6

Ток коллектора, А:

постоянный............. 1

импульсный............. 3

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uбэ=4 В и температуре среды 20 и 85 °С соответственно . 350 и 700

Ток базы, А .............. 0,4

Напряжение Uн, В, при котором наступает пе-

реворот фазы базового тока, при Iэ=200 мАч . 40

Напряжение UКэ, В, при Rб=100 Ом .... 60

Напряжение U9б, В.......... 4

Импульсное напряжение Uкв, В ..... - 70

Мощность *, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tк=25 °С . . . . . ........ . . . 13,5

Коэффициент полезного действия при £к=28 В

и f=400 МГц, %............. 45

Температура корпуса, °С ........ 85

Температура перехода, ЬС ......... 120

* При температуре корпуса от 25 до 85 °С мощновть, Вт, Pк.макс=( 120-T ксС)/7,5.

Транзисторы n-р-n КТ908 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с жесткими выводами (рис. 69, в), массой 22 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до + 125 °С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при UK=2 В и Iк=10 А............. . 8 — 60

Начальный ток коллектора, мА, при UКэ=100 В 25

Ток коллектора,- А............ 10

Обратный ток эмиттера, мА, при UЭб=5 В ... 50

Ток базы, А............... 5

Напряжение UM, В, в режиме насыщения при Iк= 10 А и Iб=2 А............. 1,5

Напряжение UKa, В, при Т0= — 60-100°С для групп:

КТ908А при Rб<10 Ом.......... 100

КТ908Б при Rб<250 Ом ......... 60

Напряжение U8о, В............ 5

Граничная частота передачи тока, МГц .... 30 Мощность*, Вт, рассеиваемая коллектором, при

Tн<50°С.................. 50

Температура перехода, °С.......... 150

* При температуре корпуса выше 50 °С мощность, Вт, Рк.макс=(150 — Tк)/2.

Транзисторы n-р-n КТ911 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом (рис. 69, г), массой 6 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С.


Электрические параметры приведены в табл. 126.

Таблица 126

Параметры	Типы транзисторов
	КТ911А	КТ911Б	КТ9ИВ | КТ9ИГ
Модуль коэффициента пере* дачи тока при f=400 МГц, 1 U„=10 В и Iк=100 мА	1,5-5,2	2 — 3,8	2,5 — 5,2	2 — 3,8
Постоянная времени цепи	25	25	50	103
обратной связи, пс, при
f=5 МГц, Uк=10 В и Iк=
= 30 мА
Критический ток коллекто-	170	150	160	140
ра, мА, при f=400 МГц
Выходная мощность, Вт,
при Uк =28 В и Рвх=
= 0,4 Вт на частоте, ГГц:
1,8	1	—	0,8	—
1	—	1		0,8
Ток коллектора, мА	400	400	400	400
Обратный ток коллектора,
мкА;
при Uкб =55 В	5	5	—	__
при Uкб =40 В	—	—	10	10
Обратный ток эмиттера,	2	2	2	2
мкА, при Uкб=3 В
Емкость коллектора, пФ,	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5 — 10	3,5-10
при f=5 МГц и Uкб=
= 28 В
Напряжение UKB, В, . при	40	40	30	30
Напряжение UK6, В	55	55	40	40
Напряжение U3s, В	3	3	3	3
Мощность *, Вт, рассеивае-	3	3	3	3
мая коллектором при TК=
= — 40-+25°С	3	3	3	3
Температура корпуса, °С	85	85	85	85
Температура перехода, °С	120	120	120	120

* При температуре корпуса 25 — 85° С мощность, Вт, Рк.макс.=(120 — Tк)/33.

 

 

Транзисторы малой мощности

Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах уси­ления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.

Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпуска­ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб­кими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.

Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) ха­рактеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов МП114 — МП116

Таблица 109

Параметры	Типы транзисторов
	МП39Б	МП40А	МП41А
Предельная частота передачи тока, МГц, при Iэ=1 мА и Uкб=5 В	0,5	1	1
Коэффициент передачи тока при Uкб= — 5 В; Iа=1 мА, f=1 кГц и температуре, СС :
20	20 — 60	20 — 40	50 — 100
60	20 — 80	20 — 120	50 — 300
— 40	10 — 60	10 — 40	25 — 100
Пробивное напряжение Uкб, В, при f=50 Гц	15	30	15
Наибольшие; напряжения UKЭ и UK6, В, при ,40 °С: постоянное	15	30	15
импульсное	20	30	20
Коэффициент шума, дБ, при Iэ=0,5 мА, Uкб=1,5 В и f=1 кГц	12

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 5 В и температуре, °С:

20 ............... 15

70 ............... 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭб= — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при UK6=5 В и

f=500 кГц.............. 60

Наибольший импульсный ток коллектора,

мА, при IЭСр<40 мА......... 150

Выходная проводимость, мкСм, при Iэ=1 мА,

U„б=5 В и f=1 кГц.......... 3,3

Сопротивление базы, Ом, при Iэ=1 мА,

Uкб=5 В и f=500 кГц......... 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:

55 ............... 150

70................ 75

Отрицательное напряжение Uэв, В .... 5

Таблица 110

Параметры	Типы транзисторов
	МП114	МШ15	МП 116
Предельная частота передачи тока, кГц, при Uкб=5 В и Iэ=1 мА	100	100	500
Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Uкэ=5 В, Iэ=1 мА, f= 1 кГц	9	9 — 45	15 — 100
Пробивное напряжение UKб, В, при f=50 Гц	70	40	20
Напряжения UK6 и UKa, В, при 70 °С	60	30	15
Напряжение Uae при температуре от — 50 до т 100 °С	10	10	10

Обратный ток коллектора, мА, при Uк= — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно ... 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб= — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно . . . - 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, Iэ=1 мА, f=1 кГц....... 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С................. 150

Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) приме­няются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и вы­пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.



Рис. 58. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов КТ203А — В

Таблица 111

Параметры	Типы транзисторов
	КТ203А	КТ203Б	МТ203В
Предельная частота передачи тока в схеме с ОБ, МГц	5	5	5
Коэффициент передачи тока в режи­ме малого сигнала при Uк=5 В, Iэ=1 мА	9	30 — 100	30 — 200
Напряжение Uкэ, В, при температуре °С: от — 55 до +75	60	30	15
125	30	15	10
Напряжение UЭб, В Входное сопротивление, Ом, в схеме	30 300	15 300	10 300
с ОБ при данном Uье *

Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно...............1 и 15

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэ6= — 30 В . 10



Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКб=5 В и f=10 МГц............. 10

Ток коллектора, мА: постоянный .............. 10

импульсный............. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА................. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С ......... V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение ukq соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные. Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.



Рис. 59. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а - ГТ321. б — ГТ322, в - ГТ323

Таблица 112

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ321А	ГТ321Б	ГТ321В	ГТ321Г	ГТ321Д	ГТ321Е
Статический ко­эффициент пет редачи тока при Uкэ=3 В и I, = 500 мА	20 — 60	40 — 120	80 — 200	20 — 60	40 — 120	80 — 200
Модуль коэффи­циента передачи тока при I8= 15 мА, Uк = 10 В и f = 20 МГц	3	8	3	3	3	3
Емкость перехода пФ: коллекторно­го, при UKa= — 10 В и f=5 МГц	80	80	80	80	80	80
эмиттерного при Uэб= — 0,5 В	600	600	600	600	600	600
Постоянная вре­мени цепи обратной связи, пс, при ин= 10 В, Iэ= 15 мА и f= 5 МГц	600	600	600	600	600	600
.Напряжение на коллекторе, В, при котором на­ступает перево­рот фазы базо­вого тока при Iэн=700 мА и Tк<450С	40	40	40	30	30	30

Обратный ток коллектора, мкА, при UK= — 30 В, Tк=20°С............. . . . . 100

Начальный ток коллектора, мА, при R6=100 Ом и предельном напряжении UKa........ 0,8

Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при Iк=700 мА........... 2,5

Uбэ при I„=700 мА*.......... 1,3

Импульсный ток коллектора, А, при тимп=30 мкс и температуре 45 °С............ 2

Ток базы, мА.............. 30

Импульсный ток базы, мА, при тимп=30 мкс . . 500



Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<45°С ................ 160

Импульсная мощность на коллекторе, Вт, при TК<45°С ................ 20

* При токе базы 140 мА — для транзисторов ГТ321А, ГТ321Г; 70 мА — для ГТ321Б, ГТ321Д и 36 мА — для ГТ321В, FT321E

Транзисторы р-n-р ГТ322 (А, Б, В) применяются для работы в УВЧ радиовещательных приемникрв и выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 59, б), массой 0,6 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до -{-55 °С. Корпус Кр тран­зистора электрически соединен с четвертым выводом и может быть использован в качестве экрана. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл. 113.

Таблица 113

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ322А	ГТ322Б	ГТ322В
Статический коэффициент передачи тока	30 — 100	50 — 120	20 — 120
Модуль коэффициента передачи тока на f=20 МГц	4	4	2,5
Емкость коллектора, пФ, при Uкб= — 5В и f=10 МГц	1,8	1,8	2,5
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при f=5 МГц	. 50	100	200

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 10 В и температуре, °С:

20.................. 4

55.................. 100

Входное сопротивление *, Ом, в схеме с ОБ в диа­пазоне частот от 50 до 1000 Гц...... . 34

Выходная проводимость*, мкСм, в схеме с ОБ в.

диапазоне частот от 50 до 1000 Гц...... 1

Коэффициент шума *, дБ, на частоте 1,6 МГц . . 4

Тепловое сопротивление, °С/мВт....... 0,7

Ток коллектора, мА............ 5

Напряжение UKn, В............ — 15

Напряжение UK3, В при Rб>10 кОм..... 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<25°С ................ 50

» При икб-----5 В и 1Э=1 мА.

Транзисторы n-р-n ГТ323 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис 59, в), массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур — 55 до +60 °С. Электрические парамет­ры транзисторов приведены в табл 114.

Таблица 114

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ323А	ГТ323Б	ГТ323В
Статический коэффициент передачи тока при Iк =0,5 А и Uкв=5 В	20 — 60	40 — 120	50 — 200
Время рассасывания, не, при Iк — 1 А и токе базы *	100	100	150

Емкость, пФ:

коллектора при UКб=15 В и f=5 МГц .... 30

эмиттера при U8б=0,25 В и f=5 МГц .... 100 Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при

Uк=10 В, Iэ=10 мА и f=10 МГц....... 300

Обратный ток, мкА:

коллектора при UK6=20 В . ..... 30

эмиттера при UЭб=2 В.......... 100

Напряжение коллектора, В, при котором наступает

переворот фазы базового тока при Iэ=100 мА . . 10 Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при Iк=1 А и I6=100 мА....... 2,5

Uбэ при Iк=1 А и, I6=100 мА....... 3

Импульсный ток коллектора, А ....... 1

Напряжение UКб, В............ 20

Напряжение UK9, В, при Яв=1 кОм..... 20

Напряжение UЭб, В............ 2

Напряжение Uка, В, запертого транзистора при

Uбэ=0,25-2 В.............. 20

Мощность**, мВт, рассеиваемая коллектором, с 500 теплоотводом, при температуре от — 50 до +50 °С

Импульсная мощность, Вт, при тимп=0,5 мкс . . 5

 100 мА — для ГТ323А. 50 мА — для ГТ323Б, 25 мА — для ГТ323В. ** При температуре корпуса Тк -50-60 °С мощность. мВт,

РKMaKC=10(100-Tк°C).

Планарные транзисторы n-p-n KT312 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 60,а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Их входные и выходные характеристики показаны на рис. 60, б, в, а электриче­ские параметры приведены в табл. 115.



Рис 60 Цоколевка (а, г), входные (б, д) и выходные (в, е), ха­рактеристики транзисторов КТ312 и КТ315

Таблица 115

Параметры	Типы транзисторов
	КТ312А	КТ312Б	КТ312В
Статический коэффициент передачи тока при Iк=20 мА, Uк=2 В	10 — 100	25 — 100	50 — 280
Модуль коэффициента передачи токч при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=20 МГц;	4	6	6
Максимальное напряжение, В: Uкб	20	35	20
Uкэ при сопротивлении между эмиттером и базой 100 кОм	20	35	20

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=5 МГц........... 500

Емкость, пФ коллектора при UКб=10 В и f= 10 МГц........... 5

эмиттера при Uэб — 1 В и f=10 МГц ..................20



Обратный ток коллектора, мкА, при Uкб=15 В (для КТ312А и КТ312В) и при Uнб=30 В (для КТ312Б) .... 10

Обратный ток эмиттера, мкА, при UB6=4 В............ 10

Напряжение в режиме насыщения, В:

UM при Iк=2 мА и I6=20 мА . . 0,8

Uбэ при Iб=2 мА и Iк=20 мА . . 1,1

Постоянный ток коллектора, мА ... 30

Импульсный ток коллектора, мА ... 60

Напряжение Uэб, В ....... 4

Мощность, мВт, рассеиваемая коллек­тором, при TK<60°C....... 225

Импульсная мощность, мBт, при Тимп<1 мкс........... 450

Транзисторы n-p-n KT315 (А — Е) выпускаются в пластмассо­вом корпусе (рис. 60, г) массой 0,18 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Входные и выходные характеристики этих транзисторов показаны на рис. 60, д, е, а их электрические па­раметры приведены в табл. 116.

Таблица 116

Параметры		Типы транзисторов
		КТ316А		КТ315Б		КТ315В	КТ316Г		КТ315Д	КТ315Е
Статический ко­эффициент пе­редачи тока при Uк=10 В и Iв=1 мА		20 — 90		50 — 350		20 — 90	50 — 350		20 — 90	50 — 350
Модуль коэффи­циента переда­чи тока при Uк=10 В, I8 =5 мА и f=100 МГц		2,5		2,5		2,5	2,5		2,5	2,5
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при Uи=10 В, I8=5 мА	500		500		500		500	1000		1000
Напряжение Uнз, B, при R6э=10 кОм	20		15		30		25	—		—
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iн=20 мА и Iб=2мА:										%
UKэ	0,4		0,4		0,4		0,4	0,1		0,1
Uбэ	0,1		0,1		0,1		0,1	15		1 5
Напряжение кол­лектора, В, при котором насту­пает переворот фазы тока Iб при Iв=5 мА	15		15		30		25	30		25

Обратный ток, мкА:

коллектора при Uк6=10 В...... 1

эмиттера при Uэб=5 В....., . 30

Наибольший ток коллектора, мА . . . . 100

Общее тепловое сопротивление, °С/мВт . , 0,67 Емкость коллектора, пФ, при UK=10 В . . 7



Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт 150

Транзисторы р-n-р КТ347 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе (рис. 61,а) массой 0.5 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +85°C. Электрические параметры транзисторов приведены а табл. 117.



Рис. 61, Цоколевка и габаритные размеры транзисторов:

а-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373

Таблица 117

Параметры	Типы транзисторов
	КТ347А	КТ347Б	КТ347В
Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм	15	9	6
Предельно допустимое напряжение Uкб, В	15	9	6
Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА	25	25	40

Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, Iэ=10 мА ........... 5

Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом UКб . 1

эмиттера при U3е=4 В « ......... 10

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом UKa......... 5

Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насы­щения, В, при Iк=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3

Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8

Напряжение Uэо, В............ 4

Постоянный ток коллектора, мА ....... 50

Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при TС<55°С.......;......... 150

Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5

Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

	КТ349А	КТ349Б	КТ349В
Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА .....	20 — 80	40 — 160	120 — 300
Модуль коэффициента пе­редачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ......		3
Предельная частота пере­дачи тока, МГц .... .		300
Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ......		1
эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллекто­ра, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм		1 1,5
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА: ика ........		0,3
иба . . . .....		1,2
Емкость перехода, пФ: коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . .		6
эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц ....		8
Импульсный ток коллек­тора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС		40
Напряжение UКб, В ...		20
Напряжение UЭб, В ...		4
Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . .....		15
Мощность*, мВт, рассеива­емая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . .		200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом кор­пусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iэ=500 мА : . ........20 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, UH=5 В и Iэ=10 мА ....... 5

Емкость, пФ:

коллектора при Uиб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при UЭб=1 В и f=5-10 МГц ... 100

Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:

Um ................0,5

Uбэ ................1,25

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKБ=10 В....... 1

эмиттера при Uэб=4 В........ 10

Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо

Напряжение UKэ, В, при Rб<10 кОм .... 15

Напряжение UKo, В...... . . . 20

Напряжение Uб, В........... 4

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .

* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.

Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.

	КТ351А КТ351Б
Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . .	20 — 80 50 — 200
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА ..........	2
Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ... эмиттера при (7Эб=1 В ....	15 30
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; .	0,6
Uбэ ....... ....	1,1
Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . . эмиттера при Uэо=4 В ....	1 10
Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп = 4 МКС . . ......	400
Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... .	15 20
Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........	4 200

* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р ft,MaftG: = ( 150-Tc)/0,6.

Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведе­ны в табл. 118.

Таблица 118

Параметры	Типы транзисторов
	КТ373А	КТ373Б	KT373B	КТ373Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА	100 — 250	200 — 600	500 — 1000	50 — 125
Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц	3	3	3	3
Емкость коллектора, ПФ, При Uкб=б В	8	8	8	8
Напряжение Uкб, В	30	25	10	60
Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА	25	20	10	25

Напряжение Uac, В ....... 5

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKa=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30

Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . .  60

импульсный ......... 200

Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300

Мощность, рассеиваемая коллекто­ром, мВт . . . . . . . . . . . . 150

Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} при­меняются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в метал­лическом корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.



Рис. 62. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов: а-ГТ328 (ГТ346), б-ГТ329

Таблица 119

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ328А	ГТ328Б	ГТ328В
Статический коэффициент передачи тока	20 — 200	40 — 200	10 — 50
Предельная частота передачи тока, МГц	400	300	300
Постоянная времени цепи обратной связи, ПС, При Uкб = 10 В и Iэ= 2 мА	5	10	10

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб=15 В . 10 Предельно допустимый ток коллектора, мА . . « 10

Пробивное напряжение, В:



Uкб.................. 15

Uэб при разомкнутой цепи коллектора .... 0,2

Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В .... 1,5 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при

температуре 55 °С............. 45

Транзисторы n-р-n ГТ329 (А — Г) выпускаются в металлическом герметичном корпусе с полосковыми выводами (рис. 62,6), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от - — 50 до +60 °С. Электри­ческие параметры транзисторов приведены в табл. 120.

Таблица 120

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ329А	ГТ329Б	ГТ329В	ГТ329Г
Статический - коэффи­циент передачи тока базы при ик — 5 В и Iэ=5 мА	15 — 300	15 — 300	15 — 300	15 — 300
Модуль коэффициента передачи тока при UK=5 В, Iэ=5 мА, f=300 МГц	4,6	5,6	3,3	2,3 ;
Емкость, пФ. коллектора при Uкб=5 В и f=30 МГц	2	3	3	2
эмиттера при UЭб= 0,5 В и f=30 МГц	3,5	3,5	3,5	3,5
Обратный ток, мА:
коллектора при Uкб=10 В	5	5	5	5
эмиттера при UЭб=0,5 В	100	100	100	100
Постоянная времени це­пи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА и I=30 МГц	15	20	20	15
Напряжение Uas, В, при температуре среды 60 °С и Iэ овр =100 мкА	0,5	0,5	1	0,5
Напряжение Ukб, В Напряжение Uкэ, В, при Rб<1 кОм	10 5	10 5	10 5	10 5
Коэффициент шума, дБ, при Uк=5 В, Iэ=3 мА и f=400 МГц	4	6	6	5
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт	50	50	50	50

*При температуре среды 40 — 60 °С мощность, мВт, Pк.макс=(80 — Tс)/0,8.

Транзисторы р-n-р ГТ346 (А, Б) применяются для работы в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с АРУ и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 62, а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 121.

Таблица 121

Параметры	Типы транзисторов
	ГТ346А	ГТ346Б
Статический коэффициент передачи тока базы	10	10
при Uк=10 В и Iв=2 мА
Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц и Iэ=2мА	7	5,5
Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В и f=	1,3	1,3
= 10 МГц
Обратный ток, мкА:
коллектора при Uк6=15 В	10	10
эмиттера при Uэа=0,3 В	100	100
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UK=10 В и Iэ=2 мА	3	5,5
Напряжение Uкэ, В, при Rб=5 кОм	15	15
Напряжение Uкб, В	15	15
Напряжение, Uэб, В	0,3	0,3
Коэффициент шума при Iэ=2 мА и f=800 МГц	8	—
Граничная частота передачи тока, МГц	700	550
Ток коллектора, мА	10	10
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт	40	40

Транзисторы n-р-n КТ325 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 63, а) массой 2,2 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.



Рис. 63. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ325, б — КТ326, в — KT337 (КТ363), г — ГТ339, в — КТ345

	КТ325А	КТ325Б	КТ325В
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В и Iэ=10 мА .	30 — 90	70 — 210	160 — 400
Модуль коэффициента . передачи тока при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=100 МГц .....	8	6	8
Емкость, пФ, при f= 10 МГц: коллектора при Uкв=5В ......		2,5
эмиттера при Uat=0 В ......		2,5
Обратный ток, мкА: коллектора при Uкб= 15 В .....	0,5
эмиттера при Uэб= 4В ......	1
Ток коллектора, мА .	60
Постоянная времени цепи обратной . связи, пс, при Uк=5 В, Iэ== 10 мА и f=100 МГц	125
Напряжение Uкэ, В, при Rб<3 кОм . , .	15
Напряжение Uк, Вг при котором наступает переворот фазы базово­го тока, при Iэ=1 мА .	15
Пробивное напряже­ние В: Uкб при отключенном эмиттере .....	15
Uэб при отключен­ном коллекторе . .	4
Мощность, мВт, рас­сеиваемая коллектором, при температуре, °С: 60 . . .....	225
125 .......	75

Транзисторы р-n-р КТ326 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 63,6), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -Н25°С. Электрические параметры, транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при UH=2 6, Iэ=10 мА:

для КТ326А............20-70

для КТ326Б.............45-160

Емкость, пФ:

коллектора при UКб=5 В и f=10 МГц ... 5 эмиттера при Uаб=Р В и f=10 МГц ... 4

Обратный ток, мкА:

коллектора при UКб=20 В.......0,5

эмиттера при UЭб=4 В....... 0,1

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=5 МГц ...... 450

Напряжение, В:

Uкб при отключенном эмиттере ..... 20 U36 при отключенном коллекторе..... 4



Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=10 мА и Iб=1 мА:

Uка................0,3

Uэб................ . 1,2

Граничная частота передачи тока, МГц, при

UK=5 В и Iв = 10 мА...........400

Ток коллектора, мА.........., 50

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при тем.пературе 30 °С..........200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт. Рк макс = (150-TС)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ337 (А, Б, В) выпускаются в металличе­ском корпусе с гибкими выводами (рис. 63, в),чмассой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до 4-85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены в табл. 122.

Таблица 122

Параметры	Типы транзисторов
	КТ337А	КТ337Б	КТ337В
Статический коэффициент передачи	30 — 70	50 — 75	70 — 120
тока при Uк=0,3 В и Iэ=10 мА			—
Модуль коэффициента передачи тока	5	6	6
при f=100 МГц, Uк=5 В и Iэ=
= 10 мА
Емкость, пФ, при частоте 10 МГц:
коллектора при U„6=5 В	6	6	6
эмиттера при Uэб=0 В	8	8	8
Обратный ток, мкА:
коллектора при UКб=6 В	1	1	1
эмиттера при Uэо=4 В	5	5	5
Время рассасывания, не, при I61=	25	28	28
Iб2=1 мА, Iк=10 мА

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА:

UKa ................ 0,2

U69.................. .1

Напряжение UКб, В .........  . 6

Напряжение Uэб, В ............ 4

Напряжение Uкэ, В, при Rо<10 кОм ..... 6

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм в Uкб=6 В................ 5

Ток коллектора, мА............ 30

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт . . 150

Температура перехода, °С ......... 150

* При температуре среды более 30°С мощность, мВт, Рк.макс3 (150-TС)/0,6. ,

Транзисторы n-р-n КТ339 (А — Д) применяются для работы в выходных каскадах промежуточной частоты телевизионных прием­ников 1-го и 2-го классов и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 63,г), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С.


Электрические параметры транзисто­ров приведены в табл. 123.

Таблица 123

Параметры	Типы транзисторов
	КТ339А	КТ339В	КТ339В	КТ339Г	КТ339Д
Статический ко- эффициент пе­редачи тока при I9=7 В и UK= 10 В	25	15	25	40	15
Емкость коллек­тора, пФ	2	2	2	2	2
Обратный ток кол­лектора, мкА, при Uкб=40 В ( для КТ339Б оно равно 25 В)	1	1	1	1
Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при f=5 МГц	25	25	50	100	150
Напряжение U«э, В Напряжение. Uкб, В Напряжение Uas, В Предельная частота передачи тока, МГц	25 40 4 300	12 25 4 200	25 40 4 450	25 40 4 250	25 40 4 250

Ток коллектора, мА, при температуре до 70 °С ...... . ....... 25

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт ............... . 250

Температура перехода, °С .....* 120

* При повышении температуры от Б5 до 70 °С мощ­ность снижается линейно до 100 мВт.

Транзисторы n-р-n КТ342 (А — Г) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см рис. 63, в), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 124.

Таблица 124

Параметры	Типы транзисторов
	КТ342А	КТ342Б	KT342B	КТ342Г
Статический коэффици-	100 — 250	200 — 500	400 — 1000	50 — 125
ент передачи тока при Iэ=7 мА и Uк=10 В Емкость коллектора,	8	8	8	8
пФ, при UK=5 В
Обратный ток, мкА, кол­лектора при напряже­нии коллектор — ба­за, В:				.
25 (КТ342А), 20 (КТ342Б),	0,5	0,5	0,5	0,5
15 (КТ342В)
и 25 (КТ342Г) Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=5 В	30	30	30	30
Напряжение UH9, В, при R6<10 кОм и темпе­ратуре среды, °С
от — 60 до +100	30	25	10	60
125	25	20	10	45
Напряжение Uкэ, В, при нулевом токе базы, Iэ=5 мА и температу­ре от — 60 до +100°С	25	20	10	25
Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iи=10 мА и. Iб=1 мА. коллектора	0,1	0,1	0,1	0,2
эмиттера	0,9	0,9	0,9	1,1
Граничная частота пере­дачи тока, МГц	300	300	300	300
Ток коллектора, мА	50	50	50	50
Импульсный ток коллек­тора, мА	300	300	300	300
Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт	250	250	250	250

* При температуре среды выше 26 °С мощность, мВт, Pк.макс=150.

Транзисторы р-n-р КТ345 (А, Б, В) выпускаются в пластмассо­вом корпусе с гибкими выводами (рис. 63, д), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до +85°С

Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

Статический коэффициент передачи тока при UK=1 В и Iэ=100 мА для транзисторов:

КТ345А .............. 20 — 60

КТ345Б............... 50 — 85

КТ345В .............. 70 — 105

Модуаь коэффициента передачи тока при f=

= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА...... 3,5

Емкость, пФ:

коллектора при f=1-10 МГц и Uкв=5 В . 15

эмиттера при f=5-4-10 МГц и Uэб=0 В . . 30

Обратный ток, мкА:

коллектора при UK6=20 В....... I

эмиттера при Uаб=4 В........ 1

Напряжение Uкб, В........... 20

Напряжение UKa, В.......... 20

Напряжение Uэв, В........... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 100 мА и Iб=10 мА:

Uкэ................ 0,14 — 0,3

Uба ................ 0,92 — 1.1

Ток коллектора, мА-

постоянный............. 200

импульсный ............ 300

Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором:

постоянная............. 100

импульсная............. 300

Температура перехода, °С........ 150

Тепловое сопротивление переход — окружающая

среда, °С/мВт............. 1,1

* При температуре среды выше 40 °С мощность, мВт, РКМЛКс,= (150 — Tс)/1,1

Транзисторы р-n-р КТ363 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см, рис 63,в), массой 0,5 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 40 до +85 °С Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

	КТ363А	КТ363В
Статический коэффициент пе­редачи тока при Uк=5 В и Iэ=5 мА	20 — 70	40 — 120
Емкость коллектора, пФ, при Uкб=5 В и f=10 МГц .....	2	2
Модуль коэффициента передачи то­ка при f=100 МГц и Iэ = 5 мА	12	15
Граничная частота передачи тока, МГц ........ ....	1200	1500
Постоянная времени цепи обрат­ной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА Время рассасывания, не, при Iк=10 мА и токе первой базы: 1 мА ...........	50 10	75
0,5 мА ....... ...	—	5
Обратный ток, мкА коллектора при UКб=15 В . .	0,5
эмиттера при UЭб=4 В ...	0,5
Ток коллектора, мА: постоянный	30
ИМПУЛЬСНЫЙ При Тимп=1 МКС и скважности более 2 .....	50
Напряжение, В, в режиме насыще­ния при Iк=10 мА и I6=1 мА: Uкэ ...........	0,35
Uвэ ...........	1,1
Напряжение Uкб, В .....	15
Напряжение Uаб, В .....	4
Мощность *, рассеиваемая коллек­тором, мВт . . .. .......	150

* При температуре среды выше 45 °С мощность, мВт, ркм&кс — =(150-Tс)/0.7.

 

Транзисторы средней мощности

Низко- и среднечастотные. Транзисторы р-n-р ГТ403 (А — И, 10) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 64, а), массой 4 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до + 700С. Основные их параметры приведены ниже.

Рис. 64. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — ГТ403, б — ГТ404

 

 

 

	ГТ403 (А-Е, К)	ГТ403 (Ж, И)
Статический коэффициент передачи тока при Iк=0,45 А .....	30	30
Обратный ток, мкА, при 20 °С:	50	70
	50	70
Ток коллектор — эмиттер при от-	5	6
Коэффициент передачи тока при Iэ=100 мА, Uh=5 В и f=50-300 Гц для групп: ГТ403 (А, В, Ж) ......	20 — 60
ГТ403 (Б, Г, Д) ......	50 — 150
ГТ403 (10) ........	30 — 60
Предельная частота передачи тока, кГц, в схеме с ОЭ при Iэ=100 мА и UK=5 В для ipynn: ГТ403 (А — В, Е, Ж, И, 10)	8
ГТ403 (Г, Д) ........	6
Напряжения, В, в режиме насыще­ния:	0,5
	0,8
Напряжения UКб и UКэ, В, для групп: ГТ403 (А, Б, 10) ......	45 и 30
ГГ403 (В, Г, Д, Е) .....	60 и 45
	80 и 60
	1,25
	0,4
Тепловое сопротивление, °С/Вт:	15
	100
Температура перехода, °С . . . .	85

Примечания: 1. Напряжение Uэб для ГТ403Д равно 30 В. а для всех остальных групп — 20 В 2 Тепловое сопротивление тран­зисторов ГТ403В и ГТ403Е с теплоотводом — 12 °С/Вт.

Транзисторы n-р-n ГТ404 (А, Б, В, Г) применяются для работы в выходных каскадах усилителей звуковых частот и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 64,6) двух вари­антов, рассчитанных на предельную мощность 300 и 600 Вт, с мас­сой соответственна 2 и 5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55 °С. Основные параметры транзисторов приведены ниже.

	ГТ404А	ГТ404Б	ГТ404В		ГТ404Г
Статический коэф­фициент передачи то­ка при UK=1B и Iэ=	30 — 80	60 — 150	30 — 80		60 — 150
Напряжение UMt В, при Rс=200 Ом и TС=55°С . . . . .	25	25		40		40
Обратный ток, мкА; коллектора при Uкб=10 В . . , эмиттера при Uэб=10 В , .				25 25
Предельная часто­та передачи тока, МГц, в схеме ОБ . .				1
Напряжение Vac, В, при Iк=0 и Iб= -2 мА . . . . . .				0,3
Ток коллектора, А Температура пере­хода, °С . . .				0,5 85
Общее тепловое со­противление, °С/мВт, для максимальной мощности, мВт: 600 . . . . . .				1
300 . .....				0,15
Тепловое сопротив­ление переход — кор­пус, °С/мВт ....				0.015
Мощность *, рас­сеиваемая коллекто­ром, мВт » . . . .	600 или 300

* При температуре среды выше 25 °С мощность. мВт, Pк.макс= 10(85-ГС),

Высоко- и сверхвысокочастотные. Транзисторы n-р-n КТ601А выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 65, о) массой Зге диапазоном рабочих температур .от. — 40 до + 85°С. Входные и выходные характеристики транзисторов приве­дены на рис. 65, б, в, а их основные параметры — ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uн=20 В и Iэ=10 мА ....... . . . . . . 16

Модуль коэффициента передачи тока при I8=10 мА, Uк=20 В и f=20 МГц . ............ 2

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=2 В .... 50

Начальный ток коллектора, мкА, при напряжении кол­лектор — эмиттер, В:

50 ........... ...... . . 60

100 .......... ... . ..... 500

Ток коллектора, мА ......... .... 30

Ток базы, мА . ....... . . . . .. . . 30

Нйпряжение Uнс, В, при отключенном эмиттере . . 100

Напряжение UK8, В................ 100

Напряжение У8с, В . ..... 2

Постоянная времени цепи .обратной связи, пс, при

UK=50 В, Iэ=6 мА, f=5 МГц . . ...... 600

Температура перехода, °С........... 150

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт:

с теплоотводом............. 500

без тенлоотвода . . . . . . . 250



Рис. 65. Цоколевка (а, г), входные (б, д) и выходные (в, е) ха­рактеристики транзисторов КТ601 (КТ603, КТ604, КТ605, КТ608) и КТ602

Транзисторы n-р-n КТ602 (А, Б, В, Г) выпускаются в металли­ческом корпусе с гибкими выводами (рис. 65, г), массой 4ji r, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85 °С. Входные и выход­ные характеристики показаны на рис. 65, д, е, а основные параметры приведены ниже.

	ГТ602А	ГТ602Б	ГТ602В	ГТ602Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=10 В, I9=10 мА . .	20 — 80	60	15 — 80	50
Напряжение коллек­тора, В, при котором на­ступает переворот фазы базового тока при Г9 = 50 мА .......	70	70	40	40
Напряжение uk, В, при Rб<1 кОм и темпе­ратуре перехода, °С:	100	100	70	70
ниже 120 .....	50	50	35	35
Емкость коллектора, пФ, при UКб=50 В и f= -2 МГц ......		4
Емкость эмиттера, пФ, При Uоб = Р, f = 2 МГЦ ,		25
Обратный ток эмитте­ра, мкА, при Uэб — 5 В		50
Обратный ток коллек­тора, мкА, дЛя групп А. Б при Uкб=120 В, а для групп В, Г — 80 В . .	-	70
Начальный ток коллек-. тора, мкА, при Rб= 10 Ом и Uкэ=100 В для групп А и Б и Uка — = 70 В для групп В, Г ,		100
Напряжение Uкэ и UЭ6 в режиме насыщения, В, при Iк=50 мА и I6=5 мА		3
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при I„=10 В, Iэ=10 мА, f=2 МГц ......		300
Ток коллектора, мА		75
Импульсный ток кол­лектора, мА ....		500
Ток эмиттера, мА . ,		80
Модуль коэффициен­та передачи тока при Uк=10 В, Iэ=25 мА, f=100 МГц .....		1,5
Напряжение UЭб, В, при Та от — 40 дэ + 120°С .......		5
Общее тепловое со­противление, °С/Вт . ,		150
Температура перехода, °С . . . ......		120
Мощность, рассеивае­мая коллектором, Вт, при Tк=20°С: с теплоотводом . .	2,8
без теплоотвода . .	0,85
Мощность, рассеивае­мая коллектором, Вт, при Tк=85°С:
с теплоотводом . .	0,65
без теплоотвода . .	0,2

Транзисторы n-р-n КТ603 (А — Е) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см. рис. 65,а), массой 2 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 др +85 °С. Основные их пара­метры приведены ниже.

	КТ603А	КТ603Б	КТ603В	КТ603Г	КТ603Д	КТ603Е
Статический коэффициент передачи тока при Uк=2 В, Iк=150 мА . .	10 — 80	1 — 60	10 — 80	60	20 — 80	60 — 200
Модуль ко­эффициента пе­редачи тока при Iэ=30 мА, Uк=10 В и f= 100 МГц . .	2	2	2	2	2	2
Емкость пе­рехода, пФ, при f=5 МГц: коллектор­ного при Uк6=10 В .	15	15	15	15	15	15
эмиттер-ного при Uаб=0 . .	40	40	40	40	40	40
Обратный ток коллектора, мкА, при на­пряжении кол­лектор — база, указанном в скобках . . .	10(30)	10 (30)	5(15)	5(15)	1(10)	1 (10)
Напряжения U кб и Uкэ, В, при Rб<1 кОм и температуре среды, °С: от — 40 до	30	30	15	15	10	10
+70 120	15	15	7,5	7,5	5	5

Обратный ток эмиттера, мкА ..... 3

Постоянная времени цепи обратной свя­зи, ПС, При Uк —

= 10 В, Iэ = 30 мА и f= 2 МГц ... 400

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=150 мА и Iб=15 мА:

Uкэ . . . 1

Uэб . . . 1,5

Напряженно эмиттер — ба­за, В .... 3

Время рас-

сасывания, не, при Iк=150 мА . и I6=15 мА . . . 100

Ток коллек-

тора, мА ... 300

Импульсный ток коллекто­ра, мА . 600

Общее теп­ловое сопро­тивление, °С/Вт 200

Температура перехода, °С . 120

Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при Tс<50°С ... 0,5

Транзисторы n-р-n КТ604 (А, Б) применяются для работы в схемах генераторов развертки и выходных каскадах усилителей и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (tM. рис. 65, а), массой 5 г, с диапазоном рабочих температур от — 25 до +100 °С. Основные их параметры приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U3 = 200 мА и Uк=40 В для групп:

КТ604А........ . ...... 10 — 40



КТ604Б............... . 30-120

Модуль коэффициента передачи тока при Uк=40 В, Iэ=20 мА и f=20 МГц ;...... 2

Ток коллектора, мА . . . ........ 200

Начальный : ток коллектора, мкА, при UKэ=

«=250 --В . ............... 50

Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭб=5 В .: . 100 Емкость коллектора, пФ, при Uкс=40 В и f=

=2 МГц................ 7

Емкость -эмиттера, пФ, при U8б=0 В и f=2 МГц................ 50

Напряжение Uна, В, при Rб=1 кОм и темпера­туре,°С:

20............. . 250

150 ... ............. 125

Напряжение икъ; В, при температуре, °С:

20................ . 300

150 . .............. . 150

Напряжение Uла в режиме насыщения, В, при Iк=20 мА, Iб=2 мА ............ 8

Напряжение UBБ В, при температуре, СС:

20 . ............... Б

150 . . ............. . 2,5

Мощность, рассеиваемая коллектором, Вт, при температуре перехода 20 °С; ,

с теплоотводом............ 3

без теплоотвода ........... 0,8

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт . -. . . 150 Тепловое сопротивление переход — » корпус,

°С/Вт . . ............ ... 40

Температура перехода, СС . . . . . . . ; 150

Транзисторы n-р-n КТ605 (А, Б) применяют для работы в гене­раторах разверток устройств индикации, преобразователях напря­жения, видеоусилителях и выходных каскадах усилителей и выпус­кают в металлостеклянн9М корпусе с гибкими выводами (см. рис. 65, а), массой 2 г, с диапазоном-рабочих температур от — 25 до + 100°С. Основные их параметра приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Iэ=20 мА и UK=40 В для групп:

КТ605А................ 10 — 40

КТ605Б...............30 — 120

Модуль коэффициента передачи тока при f=20 МГц, Uк=40 В Iэ=20. мА . . ..... 2

Начальный ток коллектора. мкА, при UKa=

11 =250 В . . ; . . :.. .......... 50

Импульсный ток коллектора, мА . . . . . 200 Обратный ток эмиттера, мкА, при U36=5° В . 100

.Емкость, пФ, при f=2.МПо коллектора при Укб — 4t) В ........ 7

эмиттера при Uэб=0 В......... 50

Продолжение

Напряжение UK9, В, в режиме насыщения при Iк=20 мА, Iб=2 мА ........... 8



Напряжение UK9, В, яри Rе=1 кОм и Та — = — 25- + 100°С . ............... 250

Напряжение, В, при температуре перехода от — 25 до+100 °С:

коллектор — база ........... 300

- эмиттер — база............ 5

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре, °С: .

20 .... ........... 400

100 . . . . .............. 170

Тепловое сопротивление, °С/Вт ....... 300

Температура перехода, °С » , . . . . ... 150

Транзисторы n-p-n KT608 (А, Б) выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 65, а), массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические пара­метры транзисторов приведены ниже.

 Статический. коэффициент передачи тока при Iэ=200 мА, Uк=50 В и Tп=25°С для групп:

КТ608А............... 20 — 80

КТ608Б................ ... 40 — 160

Модуль коэффициента передачи тока при f=

.= 100 МГц и Uкэ=10 Э .......... 2

Импульсный ток коллектора, мА, при скважно­сти 10 . . . . . .......... 800

Обратный ток, мкА:

коллектора ............. 10

эмиттера .............. 10

Ток коллектора, мА ........... 400

Емкость, пФ, при f=2 МГц:

коллектора при UКб=10 В ... . ....... 15

эмиттера при UЭб=0 .В ......... 50

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iб= 80 мА и Iк=400 мА:

коллектор — эмиттер.......... 1

эмиттер — база . . . . . . . , , . . . 2

Напряжение Uкв,-В, при TП<70°С ..... 60

Напряжение UкЭ, В ........... 60

Напряжение UЭб, В....... 4

Импульсные напряжения Uкб и Uкэ, В ... 80 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при

20 °С................. 500

Время рассасывания, не, при I6=15 мА и 1К —

«150 мА............... . 120

Температура корпуса, °С ......... 85

Температура перехода, °С ......... 120

Общее тепловое сопротивление, °С/Вт ...» 200

Транзисторы n-p-n KT611 (А — Г) применяют для работы в усилителях напряжения, генераторах импульсных сигналов, ключе­вых схемах и других радиотехнических устройствах и выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 66,л), массой 5 г, с диапазоном рабочих температур от — 25 до +100°С.


Электричес­кие параметры транзисторов приведены ниже.



Рис. 66. Цоколевка и основные размеры транзисторов: а — КТ6П, б — КТ617 (KT6I8)

	КТ611А	КТ61ЛБ	КТ611В	KT611Г
Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=-40 В и Iэ=20 мА .	10 — 40	30 — 120	10 — 40	30 — 120
Ток коллектора, мА	100	100	100	100
Начальный ток коллек­тора, мкА, при рабочем	200	200	200	200
Напряжение UKg, В, при Rо<1 кОм .- .	180	180	150	150
Напряжение UНб, В .	200	200	180	180
Напряжение UHa, В, в режиме насыщения при Iб=2 мА, Iк=20 мА . .	8
Напряжение UЭб, В . .	3
Обратный ток эмитте­ра, мкА, при UЭб=3 В .	100
Емкость коллектора, пФ, при U„6=40 В и f= -2 МГц ......	5
Граничная частота пе­редачи тока, МГц . . .	60
Мощность, мВт, рассе­иваемая коллектором: без теплоотвода * .	0,8
с теплоотводом ** . .	3
Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UK=20 В и f= -2 МГц ......	200
Общее тепловое сопро­тивление, °С/Вт ....	150
Тепловое сопротивле­ние переход — корпус, °С/Вт		4	0
Температура перехода, °С .........	150

Транзисторы n-р-n КТ617А выпускают в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 66, б), массой 0,84 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до Ч-85°С. Электрические параметры транзи­сторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при UK=2 В и Iк=400 мА . ........ 30

Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=10 В и Iэ,=30 мА . . . . . . 1,5

Постоянный ток коллектора, мА......400

Импульсный ток коллектора, мА, при скважно­сти 10 и Тимп<80 НС........... 600

Емкость, пФ, при f=2 МГц: коллектора при UKБ=I0 В ....... 15

эмиттера при UЭб=0 В . ........ 50

Обратный ток, мкА:

коллектора при UКб=30 В . . ..... 5

эмиттера при U8б=4 В.........15

Напряжение UК8, В, б режиме насыщения при

Iк-15 мА...............0,7



Напряжение UКб, В...........30

Напряжение UKa, В.......... . 20

Напряжение UЭб, В ~........... 4

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт; при температуре от — 40 до -f25°C.......500

Постоянная времени цепи обратной связи, пс,

при f=5 МГц, Uк=5 В и Iэ = 5 мА . . . . . .120

Температура перехода, °С...... . . . 150

Тепловое сопротивление переход — окружающая

среда, °С/мВт..............0,21

Транзисторы n-р-n КТ618А выпускают в металлическом; герме­тичном корпусе с гибкими выводами (см. рис. 66,6), массой 0,84 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4-85 С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при

Uй=40 В и Iэ=1 мА........... 30

Модуль коэффициента передачи тока при f=20 МГц U„=40 В и Iэ=-20 мА . . . . . . . 2

Ток коллектора, мА . ........... . 400.

Начальный ток коллектора, мкА, при- UK9 =250 В .:...,.......... . 50

Емкость, пФ, при f=2 МГцз

эмиттера при UЭб=0 В .......... 50

коллектора при Uкб = 40 В........

Обратный ток эмиттера, мкА, при U36 = 5 В . . .100

Напряжение UКб, В.......... . 300

Напряжение- UK9t В ,..,....,., 250

Напряжение Uэб, В........... 5

Мощность, мВт, рассеиваемая коллекторс-м,

при Tо= — 40-+25 °С........... 500

Предельная частота передачи тока, МГц ... 40

Общее тепловое сопротивление, °С/мВт . . . 0,2

Температура перехода, СС ...... 150

* При температуре окружающей среды Tс = 25-100 °С мощность,

Вт. Рк.макс=(150-Tс)/150.

** При температуре корпуса ТК=25-100°С мощность, Вт. Pк макс= (150-TК)/40.

Туннельные и обращенные диоды

Туннельные диоды обладают высоколегированными p-n-областями полупроводника. Концентрация легирующих примесей в областях на 2 — 3 порядка выше, чем в обычных диодах. Высокая концентрация примесей приводит к вырождению полупроводника в полуметалл и перекрытию энергетических зон (зоны проводимости полупроводника типа n с валентной зоной полупроводника типа р) и возникновению высокой (порядка 105 — 10е В/см) напряженности поля в уаком (около 0,01 мкм) переходе. При такой напряженности поля в зоне перекрытия возникает туннельный механизм проводи­мости электронов через потенциальный барьер, т. е. движение элек-тронов через барьер высотой, превышающей энергию электрона.

Туннельные диоды обладают высоким быстродействием, что спо­собствует их использованию в схемах переключателей, усилителей и генераторов колебаний высоких частот.

Статическая ВАХ диода (рис. 47, а) в области малых прямых напряжений имеет падающий участок АБ с отрицательным диффе­ренциальным сопротивлением, который используется для режимов усиления и генерирования колебаний.

Рис 47 Вольтамперная характеристика (а) и эквивалентная схема туннельного диода (б) и ВАХ обращенного диода (в)

Параметры туннельных диодов делят на три группы. В первую группу входят параметры, определяющие режим работы диода:

пиковый (максимальный) ток Iп и ток впадины Iв (минимальный ток) прямой туннельной ветви ВАХ;

напряжения Ua и Uв, соответствующие точкам максимума и ми­нимума характеристики;

отношение пикового тока Iп к току впадины IВ, характеризую­щее протяженность падающего участка вдоль оси токов;

напряжение раствора UР на инжекционной ветви, соответству­ющее пиковому току в точке максимума;

отрицательное сопротивление — дифференциальное сопротивле­ние Гдиф на падающем участке ВАХ.

Во вторую группу входят параметры, характеризующие частот-ные свойства диодов:

проходная емкость Сд — суммарная емкость перехода и корпуса при заданием напряжении смещения;

индуктивность Lд обусловленная выводами и деталями кор­пуса прибора;

сопротивление потерь Rп в объеме полупроводника на контактах

и выводах диода;

максимальная частота fмакс, до которой активная составляющая полного сопротивления эквивалентной схемы диода (рис. 47, б) ос­тается отрицательной:

Параметры	Типы диодов
	АИ101А	АИ101Б	АИЮ1В	АИ101Д	АИ101Е	АИ101И
Пиковый ток, мА	1	1	2	2	5	5
Напряжение пика,	0,16	0,16	0,16	0,16	0,18	0,18
В
Отношение пико-	5	5	6	6	6	6
вого тока к то-
ку впадины
Емкость, пФ	4	2 — 8	5	3 — 10	8	4-13
Индуктивность,	1	1	1	1	1	1
нГн
Сопротивление*,	24	22	16	14	8	7
Ом

* При амплитуде импульса обратного тока диодов АИ101А, Б — 30 мА, АИ101В, Д — 40 мА и АИ101Е, И — 80 мА.

В третью группу входят параметры предельных режимов: мак­симально допустимые значения постоянного или среднего токов и напряжений Iпр макс, Uпр маке, Iобр макс, Uовр-макс, а также мощности рмакс и мощности в импульсе заданной длительности Ри.макс.

Действие обращенных диодов основывается на исполь­зовании обратной пробойной ветви ВАХ при туннельном механизме пробоя. Переход диода изготовляется из высоколегированного, но не вырожденного материала. Обратная ветвь ВАХ (рис. 47, в) диода имеет большую кривизну, чем прямая ветвь, и используется более эффективно вместо прямой для детекторов, смесителей, умножите­лей электрических колебаний. Поскольку поменялись роли (места) прямой и обратной ветвей ВАХ, диоды называют обращенными.

Параметрами обращенных диодов являются:

прямой ток IПр при заданном прямом напряжении Uпр;

обратное напряжение Uовр при заданном обратном токе IОБР;

Максимально допустимые прямой IПр макс U Обратный Iобр маке

токи;

допустимый пиковый ток Iп прямой ветви;

емкость Сд при заданном обратном смещении.



Туннельные диоды АИ 101 (А, Б, В, Д, Е, И) применяются для работы в усилительных схемах и выпускаются в металлическом кор­пусе (рис. 48, а) массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +85°С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 97.

Туннельные диоды АИ201 (В, Г, Е, Ж, И, К, Л) применяются для работы в схемах генераторов и выпускаются в металлокерами-ческом корпусе (см. рис. 48, а) массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +85 С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 98.

Туннельные диоды АИ301 (А, Б, В, Г) применяются для работы в переключающих схемах и выпускаются в металлическом корпусе (см. рис. 48, а) массой 0,15 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 70°С. Электрические параметры диодов приведены в табл. 99.

Таблица 98

Параметры	Типы диодов
	АИ201В	АИ201Г	АИ201Е	АИ201Ж	АИ201Е	АИ201К	АИ201Л
Пиковый ток, мА	10	20	20	50	50	100	100
Напряжение пика, В	0,18	0,2	0,2	0,26	0,26	0,33	0,33
Отношение пи кового тока	10	10	10	10	10	10	10
к току впа­дины
Емкость, пФ	5 — 15	10	6 — 20	15	10 — 30	20	10 — 15
Индуктивность, нГн	1	1	1	1	1	1	1
Сопротивле­ние*, Ом	8	5	4	2,5	2,5	2,2	2,2

* При амплитуде импульса обратного тока диодов АИ201В, Г, Е, — 100 мА, АИ201Ж, И, К, Л — 200 мА.



Рис. 48. Общий вид и габаритные размеры туннельных диодов (а — г)

Таблица 99

Параметры	Типы диодов
	АИ301А	АИ301Б	АИ301В	АИ301Г
Пиковый ток, мА	1,6 — 2,4	4,5 — 5,5	4,5 — 5,5	9 — 11
Напряжение пика, В	0,18	0,18	0,18	0,18
Отношение пикового то­ка к току впадины	8	8	8	8
Емкость, пФ	12	25	25	50
Индуктивность, нГн	1,5	1,5	1,5	1,5
Напряжение раствора, В	0,65	1	1-1,3	0,8

Туннельные диоды ГИ304 (А, Б) ГИ305 (А, Б), ГИ307А приме­няются для работы в импульсных схемах и выпускаются в металло-стеклянном корпусе (рис. 48,6) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С.


Электрические параметры диодов при­ведены в табл. 100.

Таблица 100

Параметры	Типы диодов
	ГИ304А	ГИ304Б	ГИ305А	ГИ305Б	ГИ307А
Пиковый ток, мА,	4,5 — 5,1	4,9 — 5,5	9,1 — 10	9,8 — 11	2
при температуре 20 °С
Напряжение пика, В	75	75	85	85	80
Отношение пико­вого тока к току впадины	5	5	5	5	7
Емкость, пФ, при f=10-20 МГц	20	20	30	30	20
Напряжение рас­твора, В, при токе, мА:
5 . .	0,44	0,44	—	—	0,4
10	—	—	0,45	0,45	—
Постоянный пря­мой и обратный ток, мА, при 20 °С	10	10	20	20	4

* При прямом токе 2 мА.

Обращенные диоды ГИ401 (А, Б) применяются для работы в смесителях, детекторах и вычислительных устройствах и выпускают­ся в металлостеклянном корпусе (рис. 48, в) массой 0,07 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 55 до -г-70°С. Электрические пара­метры приведены в табл. 101.

Таблица 101

Параметры	Типы диодов
	ГИ401А	ГИ401Б
Постоянное прямое напряжение, мВ, при Iпр= 0,1 мА	330	330
Постоянное обратное напряжение, мВ, при Iобр = 1 мА	90	90
Постоянный прямой ток, мА	0,3	0,5
Постоянный обратный ток, мА	4	5,6
Емкость, пФ	2,5	5

Обращенные диоды АИ402 (Б, Г, Е, И) применяются в смеси­телях, детекторах и вычислительных устройствах и выпускаются в металлокерамическом корпусе (рис. 48, г) массой 0,5 г, с диапазо­ном рабочих температур от — 60 до+85°С. Электрические парамет­ры диодов приведены в табл. 102.

Таблица 102

Параметры	Типы диодов
	АИ402Б	АИ402Г	АИ402Е	АИ402И
Прямой пиковый ток, мА	0,1	0,1	0,2	0,4
Постоянное прямое напря­жение, В, при указанном выше прямом пиковом то­ке	0,6	0,6	0,6	0,6
Постоянное обратное напря­жение при предельном обратном токе	0,25	0,25	0,25	0,25
Максимальный обратный ток, мА	1	1	2	4
Емкость, пФ	4	8	8	10

 

Усилители напряжения модулирующей частоты

Обычно УНМЧ приемников состоят из каскадов предваритель­ного усиления напряжения, поступающего с детектора, и оконечного (мощного) каскада, отдающего мощность переменного тока приня­того сигнала головке громкоговорителя. Уровень сигнала, получае­мого с детектора, недостаточен для работы оконечного каскада, по­этому УНМЧ содержит каскады предварительного усиления.

Рис. 132. Схема трехкаскадного УНМЧ приёмника

Каскады предварительного усиления чаще всего выполняют по схемам, с емкостной, т. е. RС-связью. Оконечные УНМЧ выполняют одно- или двухтактными. Однотактные каскады применяют в тран­зисторных схемах с выходной мощностью до 20 — 30 мВт и в лампо­вых с питанием от электросети при номинальной выходной мощности до 2 — 3 Вт. Для получения большей выходной мощности, чем мо­жет отдать однотактный каскад, используют двухтактные оконечные каскады (см. § 45).

Типовая схема УНМЧ (рис. 132) транзисторного портативного радиовещательного приемника содержит предварительный (на тран­зисторе V4) и предоконечный (на транзисторе V5) однотактные кас­кады усиления напряжения звуковой модулирующей частоты в око­нечный (на транзисторах V6 и V7) двухтактный усилитель мощ­ности.

Напряжение смещения на базу V4 подается с делителя R16, R15, а на базу V5 — с делителя R19, R18. Смещение на базы V6 и V7 выходного каскада создается током транзистора V5 предоконеч-ного каскада. Для этой цели в цепь эмиттера V5 последовательно с его термостабилизирующими резисторами R20, R21 включены соеди­ненные параллельно резистор R23 и терморезистор R24. Ток тран­зистора V5 создает на них падение напряжения около 0,1 В, кото­рое подается на базы V6 и V7,

Терморезистор R24 является элементом температурной стабили­зации режима выходного каскада. Колебания температуры окружа­ющей среды сопровождаются изменениями сопротивления терморе­зистора, обладающего отрицательным температурным коэффициентом. При этом обеспечивается постоянство начального напряжения сме­щения на базах V6 и V7.

Сигнал звуковой частоты через конденсатор связи С23 посту­пает от детектора на вход и усиливается его предварительными кас­кадами с RС-связью на транзисторах V4 и V5. Со вторичных полу­обмоток трансформатора Tpl на базы транзисторов V6 и V7 снима­ются одинаковые по амплитуде, но противофазные напряжения звуковой частоты, обеспечивающие возбуждение выходного двух­тактного каскада. Головка громкоговорителя, включенная в цепь вторичной обмотки трансформатора Тр2, преобразует усиленные электрические колебания в звуковые.

УНМЧ снабжен цепями отрицательной обратной связи ООС, не­сколько снижающими общее усиление, но значительно улучшающими качество работы усилителя. В первом каскаде напряжение ООС по­дается с коллекторной цепи транзистора V4 на его базу через ре­зистор R16. Во втором каскаде обратная связь между цепями эмит­тера и базы транзистора V5 осуществляется с помощью резистора R20. В выходном каскаде обратная связь между коллекторными и базовыми цепями создается через конденсаторы СЗО и С31. Пред-оконечный и выходной каскады охвачены глубокой обратной связью через резистор R22 и конденсатор С29.

Громкость принимаемого сигнала регулируется с помощью пере­менного резистора R14, изменяющего напряжение модулирующей частоты, подводимое на первый каскад УНМЧ. Однако рассмотрен­ная схема регулировки не обеспечивает естественного звучания речи.

Таблица 136

Тип радиоприемника	Диапазоны	Реальная чувствительность*
		с внутренней магнитной антенной, мВ/м		со штыревой теле­скопической антенной, МкВ/м
		ДВ	СВ	КВ	УКВ
Ленинград-002	ДВ, CBI, СВII, КBI — KBV, УКВ	0,8	0,5	150	10
Рига- 105	ДВ, СВ, KB I — KBVI, УКВ	1	0,7	300	15
ВЭФ-202М	ДВ, СВ, KBI — КВV	2	1	180	—
Меридиан-210	ДВ, СВ, КВI- КВV, УКВ	0,6	0,3	200	. 15
Океан-209	ДВ, СВ, КВI- КВV, УКВ	1	0,7	150	35
Спидола-231	ДВ, СВ, КВI- КВV	1,5	0,8	200	—
Россия-304	ДВ, СВ, KBI, КВII	2,2	1,2	450	—
Сокол-308	СВ, КВ, УКВ	—	1,5	800***	100
Альпинист-415	ДВ, СВ	2	1	—	—

Особенность нашего слуха — неодинаковая чувствительность к звуковым колебаниям разных частот (на низших и высших частотах она меньше, чем на средних). Опытным путем установлены кривые зависимости интенсивности звука от частоты для равногромких чис­тых тонов, называемые кривыми равной громкости. При регулировке громкости без учета этой особенности слуха естественное звучание получается только при больших уровнях акустического давления (ког­да громкость звучания близка уровню громкости источника звука). При малых уровнях звучание нарушается (фонограмма кажется обедненной составляющими низших и высших частот).

Более четко и естественно звучит сигнал, если усилены нижние и ослаблены верхние частоты (выше 4000 Гц). Изменения в воспро­изведении различных участков диапазона звуковых частот достига­ются с помощью частотно-зависимых регуляторов (регуляторов тембра).

Частотно-зависимые схемы регуляторов тембра нижних (рис. 133, а) и верхних (рис. 133,6) частот состоят из конденсаторов (обычно постоянной емкости) и постоянных и переменных резисторов, включаемых между каскадами УНМЧ или в цепи ООС. При умень­шении сопротивления резистора R2 (рис. 133, а) цепочка R2C2 будет иметь большое сопротивление для нижних звуковых частот и малое для верхних, поэтому произойдет ослабление сигнала в области ниж­них частот. Подобным образом ослабляется сигнал в области верх­них частот при уменьшении сопротивления резистора R2 в схеме, по­казанной на рис. 133,6. Меняя положение движка резистора R2, изменяют сопротивление цепи регулятора для различных частот зву кового диапазона, что приводит к изменению частотных характери­стик усилителей, а следовательно, и тембра звучания передачи.

Таблица 136 (продолжение)

Номинальный интервал воспроизводимых час­тот, Гц				Номинальная выход­ная мощность, Вт			Источник питания**			Габаритные раз­меры, мы			Масса, кр
ДВ, СВ, KB	УКВ
80—4000	80— 12500			2			6 элементов 373, сеть 127/220 В			390X390X164			8,5
100—4000	100— 12500			0,8			6 элементов 373, сеть 127/220 В			390X242X135			6,3
200—4000	— *			0,15			6 элементов 373			305X240X105			3,3
125-4000	125— 10000			0,4			6 элементов 373, сеть 127/220 В			290X271X133			4,3
125—4000	125-10000			0,5			6 элементов 373, сеть 127/220 В			367X254X124			4,6
125—4000	—			0,4			6 элементов 373			345X255X100			4,0
300—3500	—			0,1			4 элемента 316			215X125X47			1,0
315—3550	315—7100			0,3			Батарея «Крона»			255X186X72			1,5
200—3500	—			0,4			6 элементов 343, сеть 127/220 В			261X162X76			1,7
Тип радиоприемника			Диапазоны			Реальная чувствительность*
						с внутренней магнитной антенной, мВ/м				со штыревой теле­скопической антен­ной, мкВ/м
						ДВ			СВ	КВ		УКВ
Вега-404			ДВ, СВ			2,5			1,5	—		—
Гиала-407			ДВ, СВ			2			1	—		—
Кварц-407			ДВ, СВ			2,5			1	—		—
Нейва-402			ДВ, СВ			1,5			1	—		—
Селга-405			ДВ, СВ			2			1,2	—		—
Сигнал-402 Сокол-405			ДВ, СВ СВ, КВ			1,5			1 1,2	500***		—
Номинальный интервал воспроизводимых час­тот, Гц					Номинальная вы­ходная мощность, Вт			Источник питания**			Габаритные раз­меры, мм			Масса, кг
ДВ, СВ, КВ		укв
315 — 3550 200 — 3550 450 — 3150 450 — 3000 315 — 3150 450 — 3000 315 — 3550		—			0,2			2 батареи 3336Л			160X157X64			1
		—			0,4			6 элементов 343			264X170X78			1,6
		—			0,1			& элементов 316			174X100X53			0,5
		—			0,1			Батарея «Крона»			140X80X41			0,3
		—			0,15			6 элементов 316			200X110X50			0,6
		—			0,1 0,15			Батарея «Крона» Батарея «Крона»			162X85X46 205X110X65			0,45 0,75

* При отношении сигнал/ шум не менее 20 дБ в диапазонах ДВ, СВ, КВ и не менее 26 дБ в диапазоне УКВ.

** Напряжение питания радиоприемника Россия-304 — 6 В, остальных — 9 В.

*** Чувствительность при приеме на внутреннюю магнитную антенну.



Рис. 133. Схемы регуляторов тембра: а — нижних частот, б — верхних частот

Однако создать регуляторами тембра требуемую тонкомпенса-цию не удается. Для предотвращения потери качества звучания при малой громкости в современных звуковоспроизводящих устройствах применяют тонкомпенсированные регуляторы громкости (ТКРГ), ко­торые одновременно с изменением коэффициента передачи меняют АЧХ усилителя низких частот в соответствии с кривыми равной громкости.

Основные технические характеристики некоторых промышленных образцов радиовещательных приемников и радиол, выпускаемых оте­чественной промышленностью, приведены в табл. 136 и 137.

Таблица 137

Тип аппарата	Диапазоны	Реальная чувствительность*						Номинальный интервал вос­производимых частот, Гц		Номинальная выходная мощность, Вт	Тип электро-проигрывающего устройства	Потребляемая мощность, В-А	Габаритные размеры, мм	Масса, кг
		с внутрен­ней магнит­ной антен­ной, мВ/м		с наружной антенной, мкВ
		ДВ	СВ	ДВ	СВ	кв	УКВ	в тракте АМС	в тракте ЧМС и при воспро­изведении грамзаписи
Виктория-003	ДВ, СВ,	I	0,8	30	30	30	Ради 2,5	ЮЛЫ 31,5 —	31,5 —	2X50	1ЭПУ-73С	115	475Х315Х	10,5**
стерео	KBI-KBV; укв							6300	16000				Х175** 475Х315Х	10Г5***
													Х175***
Вега-321	ДВ, СВ,			200	150	200	15	100 —	100 —	2X3	ПЭПУ-62СП	50	635 X 340 X	25
стерео	KBI — KBIII, УКВ							3550	юооо				160
Вега-003	ДВ, СВ,	1,5	1	50	50	50	5	63 —	63 —	2X6	G-600B	120	660Х360Х	15**
стерео	KBI — KBIV, укв							6000	16000				230** 484 X 350 X	13,5***
													Х210***
Эстония-008	укв						2,5	63 —	40 —	2X25	ПЭПУ-62СМ	150	586 X 393 X	16
стерео								6300	16000				Х202
Эстония-006	ДВ, СВ,	1 ,5	1	50	50	50	5	63 —	63 —	2X10	ПЭПУ-52С	100	790 X 340 X	25**
стерео	kbi-kbiv, укв							6300	16000				Х270** 450ХЗЗОХ	10***
													Х170***
Мелодия- 101 стерео	ДВ, СВ, KBI — KBIII, УКВ	2	1,5	150	100	150	5	63 — 6300	63 — 15000	2X4	ИЭПУ-52С	50	623Х317Х XI 63** 391Х305Х	13** з***
													Х163***
Мелодия- 102	ДВ, СВ,	2	1,5	150	100	150	5	63 —	63 —	2	ПЭПУ-50	40	820 X 340 X	23
	kbi — kbiii, укв							6300	12500				Х640

Продолжение табл. 137

		Тип аппарата	Диапазоны	Реальная чувствительность*						Номинальный интервал вос­производимых частот, Гц			Номинальная выходная мощность, Вт		Тип электро-проигры вающего устройства		Потребляемая мощность, В.- А	Габаритные размеры, мм	Масса, кг
				с вну ней м ной а ной,	трен-згнит-нтен-мВ/м	с наружной антенной, мкВ			УКВ
				дв	св	ДВ	св	кв		в тракте АМС	в тракте ЧМС и при вос­произведении 4 грамзаписи
		Урал- 112	ДВ, СВ, KBI, КВII, УКВ	2	1,5	150	150	200	10	80 — 6300	80 — 12 500		2		ПЭПУ-50		80	760 X 330 X Х298	21
		Кантата-204	ДВ, СВ, KBI, КВII, УКВ	—	—	150	100	150	10	100 — 4000	100 — 10000		1,5		НЭПУ-76 .		80	750ХЗЗОХ Х275	19
		Илга-301	ДВ, СВ, KBI — KBIII			200	150	200	15	125 — 3550	125-7100		3		ПЭПУ-50		40	534 X 377 X Х164	11,6
		Рекорд-354 Снриус-311 Серенада-404	УКВ ДВ, СВ, KB, укв ДВ, СВ, КВ1, квп, укв ДВ, СВ	—	—	200 200 200	200 150 300	300 200	30 30	150 — 3500 125 — 3150 200 — 3150	150 — 7100 125 — 7100 200 — 6300		0,5 0,5 0,5		П1ЭПУ-38 ШЭПУ-28М 1ПЭПУ-38		75 80 30	610Х310Х Х240 700 X 326 X Х715 446 X 270 X Х140	13,5 18 9
	Магнито-радиолы
		Романтика-106	ДВ, СВ, KB!, квп, укв	2	1,5	150	150	200	10	63 — 6300	63 — 12500		3		ИЭПУ-50		120	750 X 370 X Х550	38
			Магнитолы
		Вега-320	ДВ, СВ, kbi — kbiii, УКВ	2,5*	1,5	—	—	500	100	200 — 3550	200 — 7100		0,3		—		—	750Х100Х ХЗОО	5
		Томь-305 Вега-325 стерео	ДВ, СВ, kbi — kbiii,	—	—	200	150	200	15	100 — 3550	100 — 10000		2X3		—		—	635 X 375 X XI 60	11
		Ореанда-301	укв дв, св, кв, УКВ	2,5	1,5	—	—	500	100	200 — 3550 200 __	200 — 7100 200 —		0,3 0,4		—		-~~	365Х98Х Х280 304Х84Х	5 3,5
		Эврика-402	дв, св	2,5	1,Ь					3550	7100							Х226

* При отношении сигнал/ шум не менее 20 дБ в диапазонах ДВ, СВ, KB

** Габаритные размеры и масса радиоприемника.

*** Габаритные размеры и масса ЭПУ.

 

Усилители постоянного тока

Общие сведения. Усилители постоянного тока УПТ могут уси­ливать электрические колебания со спектром частот от 0 до fв, оп­ределяемой назначением и условиями работы. По принципу дейст­вия различают усилители прямого усиления и. с преобразованием. В усилителях постоянного тока с преобразованием усиливаемый постоянный ток преобразуется в переменный и усиливается с по­следующим выпрямлением (усиление с модуляцией и демодуляцией сигнала — МДМ).

Особенность схем УПТ прямого усиления, наличие гальвани­ческой (непосредс№енной) связи между выходным электродом уси­лительного элемента (коллектором, анодом) одного каскада и входным электродом усилительного элемента (базой, сеткой) сле­дующего каскада. При этом цепь связи между каскадами не содер­жит реактивных элементов (конденсаторов, трансформаторов), поэтому возможно прохождение сигналов любой частоты (вплоть до нулевой).

Гальваническая связь, хорошо передавая перепады потенциа­лов и медленные изменения токов между каскадами, затрудняет установку режима работы усилительного элемента, вызывает не­стабильность работы самого усилителя. При изменениях напряже­ния источников питания и режимов работы усилительных элемен­тов или их параметров возникают медленные изменения токов, которые через цепи гальванической связи передаются на вход усили­теля и приводят к изменениям выходного сигнала. Эти изменения выходного сигнала неотличимы от изменений, вызванных воздей­ствием полезного сигнала на входе усилителя.

Дрейф нуля и способы его снижения. Изменения выходного напряжения, обусловленные внутренними процессами в усилителе (нестабильностью напряжения источников питания, или параметров активных и пассивных элементов схемы, изменениями температу­ры окружающей среды и т. д.) и не связанные со входным напря­жением, называют дрейфом нуля усилителя. Абсолютный дрейф нуля характеризуется максимальным изменением выходного напря­жения при отсутствии сигнала на входе (при замкнутом входе) усилителя за определенный промежуток времени.
Напряжение дрейфа, приведенное ко входу усилителя, равно отношению напря­жения абсолютного дрейфа к коэффициенту усиления усилителя:

Uдр.вх = U др.вых.макс/K.

Значение этого напряжения ограничивает минимально различи­мый входной сигнал (т. е. определяет чувствительность усилителя). Для нормальной работы усилителя напряжение дрейфа не должно превышать заданного минимального напряжения усиливаемого сиг­нала. Если напряжение дрейфа на входе усилителя окажется того же порядка или больше напряжения сигнала, уровень искажений усили­теля превысит допустимую величину, что может вызвать смещение ра­бочей точки усилителя вне рабочей области характеристик усили­тельного элемента («дрейф нуля»).

Основными способами уменьшения напряжения дрейфа явля­ются: стабилизация напряжения или тока всех источников питания, влияющих на режим усилительного каскада; применение глубокой ООС; компенсация температурного дрейфа элементами с нелиней­ной зависимостью параметров от температуры; применение баланс­ных (мостовых) схем; преобразование постоянного тока, в перемен­ный и усиление переменного тока с последующим выпрямлением.

Схемы усилителей постоянного тока. Важными задачами при построении схем УПТ являются согласование потенциалов (на вхо­де усилителя, в точках соединения каскадов, и на выходу, при под­ключении нагрузки) и обеспечение стабильности работы при изме­нениях режимов и параметров элементов схемы. Усилители постоян­ного тока могут быть одно- и двухтактными.

Рис. 98. Схемы усилителя постоянного тока с непосредст­венной связью (а) и параллельного балансного каскада (б)

В однотактной схеме УПТ прямого усиления (рис. 98, а) на­пряжение сигнала с выхода одного усилительного элемента непо­средственно поступает на вход следующего усилительного элемента. Одновременно с напряжением сигнала на вход следующего усили­тельного элемента (например, V2) поступает напряжение питания цепи предыдущего транзистора VI. Для согласования потенциала коллектора транзистора VI с потенциалом базы последующего кас­када на транзисторе V2 следует скомпенсировать коллекторное на­пряжение первого каскада.


С этой целью в эмиттерную цепь V2 включают резистор Raz, в результате чего напряжение смещения цепи базы транзистора V2 Uбэ2 = Uкэ1 + Uэ1 — UЭ2. Для получения требуемого тока коллектора в транзисторе V2 напряжение U3n на резисторе RЭ2 должно превышать напряжение U3i на резисторе Rзь Потенциалы коллекторов последующих транзисторов должны быть высокими. Эти требования выполняются уменьшением сопротивлений Rк и увеличением R3 последующих каскадов, т. е. выбором RK3<Rк2<RK1 и Rэз>RЭ2>Rэ1. При таком выборе резисторов Rк и Ra снижается усиление последующих кас­кадов. Следует учитывать, что резисторы R3i, Raz и Rэз в схеме УПТ не только компенсируют коллекторное напряжение, поступаю­щее на базу, но и осуществляют стабилизацию режима транзисто­ров за счет ООС по току. Благодаря ООС параметры усилителя (Кв, Кт, rвх, rвых) в меньшей степени зависят от параметров тран­зистора и обладают большей стабильностью при их изменениях. Сопротивление R3 последнего каскада обычно выбирают из усло­вий получения необходимой стабильности режима работы, а нуж-ное смещение на базе устанавливают с помощью делителя RоRаз или- стабилитрона V4, подключаемого к цепи эмиттера (как пока­зано на рисунке пунктирной линией). Если эмиттерный ток тран« зистора меньше рабочего тока стабилитрона, в схему (для обеспе­чения его номинального режима) дополнительно вводят резистор rq.

Балансные схемы в сочетании со взаимной компенсацией, глу­бокой ООС и термокомпенсацией нелинейными элементами позво­ляют значительно увеличить стабильность УПТ. В большинстве случаев балансные схемы усилителей выполняют двухтактными. Для уменьшения дрейфа нуля применяют балансные схемы усилителей параллельного и последовательного типа.



Рис. 99. Структурная схема усилителя-преобразователя

В схеме параллельного балансного каскада (рис. 98, б) кол­лекторные резисторы RK1 и RК2 и внутренние сопротивления транзисторов образуют четыре плеча моста. К одной диагонали моста между цепями коллектор — эмиттер подключается напряжение пи­тания, а к другой (между коллекторами) — нагрузка.


Входной уси­ливаемый сигнал прикладывается к базам обоих транзисторов. При RK1=RK2 и идентичных транзисторах плечи моста симметричны. Если сигнал на входе схемы отсутствует (Uи=0), разность потен­циалов между коллекторами VI и V2 также равна нулю. Если Uвх=/=0, потенциалы на коллекторах транзисторов получают одинаковые по величине, но разные ло знаку приращения (AUK1 = .=. — АUка), вследствие чего , в нагрузке появляется ток.

Балансные каскады парал­лельного типа могут быть ис­пользованы в качестве первых высокостабильных каскадов многокаскадных усилителей, а также в качестве выходных каскадов, если нужно получить симметрично изменяющееся напряжение (например, для отклоняю­щих пластин осциллографической трубки) или симметрично изменяющийся ток (например, для отклоняющих катушек электронно-лучевых трубок, обмоток реле). Высокая стабильность выходных данных объясняется тем, что изменения режима (темпе­ратуры, напряжения источника) в симметричной схеме приводят к одинаковым изменениям потенциалов на коллекторах, поэтому вы­ходное напряжение и ток в нагрузке не меняются.

В симметричной схеме ток через резистор R9 можно считать не измененным (АIэ1= — АIэ2). Следовательно, обратная связь в схеме не возникает. Регулировкой сопротивления резистора связи R1 с отводом средней точки можно уменьшить колебания токов коллекторов. Резистор R1, являясь сопротивлением обратной свя­зи, снижает усиление, однако предотвращает закрывание одного из транзисторов при малейшем разбалансе базовых потенциалов, чем расширяет динамический диапазон входных сигналов.

Балансные каскады последовательного типа на транзисторах распрортранения не получили, поскольку обладают большим дрей­фом нуля.

Усилители постоянного тока прямого усиления обеспечивают усиление сигналов лишь в сотни микровольт и выше. Для усиления более слабых сигналов используют УЛТ с преобразованием посто­янного тока в переменный с последующим усилением и выпрямле­нием.

Структурная схема усилителя-преобразователя постоянного то­ка показана на рис. 99.Тип преобразователя Пр определяется ус* ловиями работы УПТ, Преобразователь возбуждается генератором низкой частоты ГНЧ, напряжение которого вместе с входным на­пряжением сигнала UВХ поступает на балансный модулятор БМ.

В модуляторе происходит амплитудная модуляция колебаний генератора напряжением сигнала. С выхода преобразователя моду­лированные колебаний проходят обычный усилитель низких частот УНЧ с узкой полосой пропускания (для снижения уровня помех) и подаются на детектор Дт. На выходе детектора из преобразован­ного сигнала фильтр Ф выделяет полезный сигнал, который пода­ется в нагрузку R.

Усилители промежуточной частоты

Общие сведения. Усилители промежуточной частоты УПЧ в су­пергетеродинном приемнике служат для усиления выходного сигнала преобразователя частоты и обеспечения избирательности по сосед­нему каналу. В тракте промежуточной частоты осуществляется ос­новное усиление принимаемого сигнала; Для получения большого усиления УПЧ выполняются многокаскадными с постоянной проме­жуточной частотой, что позволяет применять в каскадах двух- и многоконтурные избирательные системы с малым коэффициентом прямоугольности и обеспечивать большое ослабление сигналов со­седних каналов даже при небольших расстройках.

В усилителях промежуточной частоты радиовещательных при­емников полоса пропускания не превышает 5 — 7 % средней (проме­жуточной) частоты, поэтому каскады УПЧ относят к узкополосным.

По виду избирательных систем различают усилители: однокон­турные резонансные (в каждом каскаде по одному колебательному контуру, при этом контуры разных каскадов настроены на одну промежуточную частоту); одноконтурные расстроенные (в пределах полосы пропускания усилителя каскады настроены на различные частоты); с двумя связанными контурами в каждом каскаде; с фильтрами сосредоточенной избирательности ФСИ (избирательная система каждого каскада содержит три и более связанных колеба­тельных контуров) и комбинированные для приема амплитудно- и частотно-модулированных сигналов.

Рассмотрим три последних вида усилителей.

Рис. 123. Двухконтурные усилители промежуточной частоты с ин­дуктивной (а) и емкостной (б) связью

УПЧ с двумя связанными контурами. Широко применяют УПЧ с трансформаторной (рис. 123, а) и внешнеемкостной (рис. 123, б) связью между двумя колебательными контурами C1L1 и C2L2. Эти виды связи наиболее просты в получении требуемого коэффициента связи М. Изменяя связь между контурами, можно регулировать ши­рину полосы пропускания усилителя. Форма резонансной кривой двухконтурных фильтров зависит от параметра связи контуров и приближается к прямоугольнику больше, чем резонансная кривая одиночного контура.
УПЧ со связанными контурами позволяют по­лучить переменную селективность (избирательность). При наличии помех полосу пропускания можно уменьшить и повысить избира­тельность по соседнему каналу, улучшив прием полезного сигнала, при отсутствии помех — расширить и снизить частотные искажения, обеспечив хорошее качество воспроизведения.

УПЧ с фильтрами сосредоточенной избирательности. В прием­никах дальней связи при полосе пропускания 7 — 9 кГц требуется ослабление при расстройке 10 кГц порядка 70 — 80 дБ (в 3000 — 10000 раз). Такое ослабление не обеспечивает даже четырех-пяти-каскадный, усилитель с двумя связанными контурами L1С1 и L2C2. Лучшее ослабление по соседнему каналу можно достичь с по­мощью многозвенных фильтров. Схема УПЧ с четырехзвенным фильт­ром с внешнеемкостной связью между колебательными контурами показана на рис. 124. Для ослабления магнитных связей между кон­турными катушками контуры экранированы. Фильтры, имеющие много резонансных контуров в одном каскаде, называют фильтра­ми сосредоточенной избирательности (селекции) ФСС в отличие от полосовых фильтров, образованных контурами, рассредоточенными в разных каскадах.

Рис. 124. Усилитель промежуточной частоты с ФСС

В радиовещательных приемниках с общепринятой промежуточ­ной частотой 465 кГц и выше с узкой (7 — 9 кГц) полосой пропус­кания хорошая избирательность по зеркальному каналу обеспечива­ется фильтрами (рис.125) с пьезоэлектрическими .резонаторами 1 — 8, размеры которых выбирают такими, чтобы в них (под воздействием переменного напряжения) электромеханический резонанс наступал на промежуточной частоте приемника. На входе фильтра электрические колебания превращаются в механические, а на выходе (на обклад-иах резонатора 8, воспринимающего механические колебания от резонатора 4) благодаря обратному пьезоэлектрическому эффекту воз­никает переменная эдс.



Рис. 125. Преобразователь частоты с четырехзвенным пьезо-керамическим фильтром

Обычно избирательность пьезокерамических фильтров дополня­ют контуром 1C, вводимым в коллекторную цепь транзистора.


Для колебаний гетеродина контур создает ослабление в 20 — 25 дБ, обес­печивая вместе с ФСС ослабление в 50 — 60 дБ.

Комбинированные УПЧ амплитудно- и частотно-модулированных сигналов АМС — ЧМС приемника. Радиовещание с ЧМС ведется в метровом диапазоне (fc=60-4-80 МГц). Хорошую избирательность по зеркальному каналу в сунергетеродинном приемнике можно обеспе­чить, если fпч> (0,05 -0,1)fс, поэтому в радиовещательных приемни­ках ЧМч;игналов fПч принимается 8,4 МГц.

При приеме АМ-сигналов в диапазонах декаметровых и более длинных волн fi,4 принимается 465 кГц, так как на более высоких трудно обеспечить нужную (7 — 9 кГц) полосу пропускания. В ра­диоприемниках, предназначенных для приема ЧМС в метровом и

АМС в декаметровом и более длинноволновых диапазонах, исполь­зуют комбинированные усилители промежуточной частоты. В каж­дом каскаде такого УПЧ (рис. 126) последовательно включены два колебательных контура L1C1 и L2C2, настроенных соответственно на 465 кГц и 8,4 МГц. При усилении сигнала частотой 8,4 МГц со­противление колебательных контуров, настроенных на 465 кГц, будет незначительным для токов с частотой 8,4 МГц, поэтому второй ко­лебательный контур в этом режиме можно считать короткозамкну-тым и не влияющим на работу каскада. Аналогичная развязка кон­туров имеет место я при усилении сигнала с частотой 465 кГц.



Рис. 126. Комбинированный каскад усилителя промежу­точной частоты с двумя парами связанных контуров АМС — ЧМС

 

Усилители радиочастот

Усилители радиочастоты УРЧ повышают избирательность по зеркальному каналу и чувствительность приемника. По схемному по­строению УРЧ могут быть апериодическими или резонансными.

Рис. 117. Схемы апериодических каскадов усилителей радиочастоты:

а — резисторная, б — трансформаторная

Апериодические УРЧ увеличивают лишь отношение сиг­нал/шум и чувствительность приемника. Наиболее часто их приме­няют в транзисторных приемниках прямого усиления на ДВ- и СВ-диапазонах. В качестве нагрузки апериодических УРЧ может служить дроссель, резистор или трансформатор. Резисторный кас­кад УРЧ (рис. 117, а) прост в исполнении и настройке. В трансфор­маторных УРЧ (рис. 117,6) облегчается согласование выхода одно­го каскада со входом последующего. Кроме того, трансформаторный каскад УРЧ можно легко переделать в рефлексный.

Резонансные УРЧ обеспечивают усиление сигнала и по­вышают не только реальную чувствительность, но и избирательность по зеркальному каналу (см. § 60). Транзисторные резонансные УРЧ в диапазонах ДВ, СВ и KB собирают по схеме с ОЭ (рис. 118), а в УКВ-диапазоне — по схеме с ОБ.

Каскады УРЧ могут содержать один или два резонансных кон­тура. Усилитель радиочастоты с одним контуром дает меньшее уси­ление, но более прост в изготовлении и настройке. Схемы с индук­тивной связью контуров позволяют изменять связь и получать наи­большее усиление или лучшую избирательность. Изменением связи по диапазону можно несколько компенсировать неравномерность ко­эффициента передачи входных цепей.

Рис. 118. Каскад усилителя радиочастоты

Усилители радиочастоты УКВ-диапазона выполняют по каскод-ным схемам. Они имеют лучшие характеристики, чем обычные УРЧ. Схема каскодного усилителя показана на рис. 119. Первый тран­зистор включен по схеме с ОЭ, благодаря чему достигается малая входная проводимость усилителя, а второй V2 — по схеме с ОБ, что обеспечивает большой коэффициент устойчивого усиления. По посто­янному току транзисторы включены последовательно, что вызывает необходимость увеличения напряжения источника питания.

По усилению каскодный усилитель эквивалентен однокаскадному усилителю с проводимостью прямой передачи первого транзистора и нагрузкой второго. Каскодная схема используется в усили­телях диапазона метровых волн. Первый каскад схемы выгодно вы­полнять на полевом транзисторе, обладающем низким уровнем шумов и малой «ктивной входной проводимостью, при этом будет меньше шунтироваться избирательная система приемника, включен­ная на входе каскодного усилителя. Во втором каскаде предпочтите­лен дрейфовый транзистор, включаемый по схеме с ОБ и обеспечивающий наибольший устойчивый коэффициент усиления. При таком выполнении каскодной схемы усилителя повышается его коэффици­ент устойчивого усиления, существенно снижается уровень шумов, повышается избирательность тракта радиосигнала приемника, что является их преимуществом.



Рис. 119. Каскодная схема усилителя радиочастоты

Аналогичными преимуществами обладают каскодные схемы (низкий уровень шумов и высокий коэффициент, устойчивого усиле­ния) на электронных лампах, обычно триодах, включаемых по схеме общий катод — общая сетка.

 

Условные обозначения интегральных схем

Обозначение ИС состоит из четырех элементов: первый эле­мент — цифра, указывающая конструктивно-технологическую группу (цифры 1, 5, 7 указывают, что ИС полупроводниковые; 2, 4, б и 8 — гибридные, а 3 — пленочные, керамические, вакуумные и др.); вто­рой элемент — две-три цифры порядкового номера разработки, нрисвоенные данной серии (в результате первых два элемента со­ставляют три-четыре цифры, определяющие полный номер серии ИС); третий элемент — две буквы: первая обозначает подгруппу, вторая — вид микросхемы по функциональному назначению; четвер­тый элемент — порядковый номер разработки ИС по функциональ­ному признаку в данной серии. Этот элемент может состоять из од­ной или нескольких цифр. Пример основного условного обозначения интегрального полупроводникового операционногб усилителя с поряд­ковым номером разработки серии 40 и порядковым номером раз­работки данной схемы в серии по функциональному признаку 11 приведен на рис. 134, а. Иногда в конце условного обозначения до­бавляют буквы от А до Я, которые характеризуют технологический разброс электрических параметров (модификацию) данного типо-номинала или определяют тип корпуса (например, буква П означа­ет пластмассовый корпус, а М — керамический). Перед условным обозначением микросхем, используемых в устройствах широкого применения, ставя.? букву К (например, К140УД11). Если после буквы К перед номером серии стоит буква М (например, КМ155ЛА1), это означает, что вся данная серия выпускается в керамическом кор­пусе, если же после буквы К ставится буква Б (например, КБ524РП1А-4), хо серия выпускается в бескорпусном варианте, без присоединения выводов к кристаллу микросхемы. Экспортный ва­риант микросхемы (с шагом выводов корпуса 2,54 мм) обозначают буквой Э перед буквой К (например, ЭК561ЛС2).

Рис. 134. Условное обозначение микросхем: а — 140УД11, б — 1ЛБ331

В обозначении бескорпусных ИС через дефис вводится цифра от 1 до 6 (например, 703ЛБ1-2), характеризующая модификацию конструктивного исполнения. Цифры означают: 1 — микросхема с гибкими выводами (с числом выводов до 16); 2 — с ленточными (паучковыми) выводами, в том числе «а полиамидной пленке; 3 — с жесткими выводами; 4 — на общей пластине (неразделенные); 5 — разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку); 6 — с контактными площадками без выводов (кристалл).

Для микросхем, разработанных до 1973 г., обозначение конст­руктивно-технологической группы отделялось от порядкового номера серии буквенным шифром функции, выполняемой схемой (например, 1 ЛБ 33 1, рис. 134,6). Старые и новые условные обозначения раз­личаются буквами, указывающими подгруппы и виды.

По характеру выполняемых функций в аппаратуре ИС подраз­деляют на подгруппы (генераторы, детекторы, ключи, модуляторы, усилители) и виды (преобразователи напряжения, частоты, фазы и т. д.).

 

Условные обозначения полупроводниковых диодов

Обозначение полупроводниковых диодов определяется ГОСТ 10862 — 72 и составляется из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра обозначает исходный полу­проводниковый материал: Г или 1 — германий и его соединения; К или 2 — кремний и его соединения; А или 3 — соединения галлия.

Второй элемент — буква указывает класс прибора: Д — диоды; Ц — выпрямительные столбы и блоки; А — диоды СВЧ; В — вари­капы; И — туннельные и обращенные диоды; Н — диодные тирис­торы; У — триодные тиристоры; Л — излучатели (светодиоды); Г — генераторы шума; Б — диоды Ганна; К — стабилизаторы тока; С — стабилитроны и стабисторы. :

Третий элемент состоит из трех цифр, обозначающих назначение и качественные свойства приборов, а также порядковый номер раз­работки. Ниже приведена характеристика (расшифровка) третьего элемента различных типов приборов.

Обозначение третьего элемента стабилитронов в зависимости от их мощности приведено в табл, 66,

Выпрямительные диоды: малой мощности со средним значением тока до 0,3 А ...........	От 101 до 199
средней мощности со средним значением тока от 0,3 до 10 А ......... универсальные с частотой менее 1 ГГц	» 201 » 299 » 401 » 499
Импульсные диоды с временем восста­новления обратного сопротивления, не:	» 501 » 599 » 601 » 699 » 701 » 799 » 801 » 899 » 901 » 999
Выпрямительные столбы со средним зна­чением прямого тока, А: средней мощности от 0,3 до 10 . , .	» 101 » 199 » 201 » 299
Выпрямительные блоки со средним зна­чением прямого тока, А: средней мощности от 0,3 до 10 , , .	» 391 » 399 » 401 » 499
Диоды СВЧ:	» 101 » 199 » 201 » 299 » 401 » 499 » 501 » 599 » 601 » 699 » 701 » 799
Варикапы:	» 101 » 199 » 201 » 299
Туннельные диоды:	» 101 » 199 » 201 » 299 » 301 » 399 » 401 » 499
Диодные тиристоры со средним значени­ем прямого тока, А: средней мощности от 0,3 до 10	» 101 » 199 » 201 » 299
Триодные тиристоры незапираемые со средним значением прямого тока, А: малой мощности до 0,3 средней мощности от 0,3 до 10 . .	» 101 » 199 » 201 » 299
запираемые со средним значением пря­мого тока, А:
малой мощности до 0,3 . . . средней мощности от 0,3 до 10 . .		» 301 » 399 » 401 » 499
симметричные незапираемые со сред­ним значением прямого тока, А: малой мощности до 0,3 ..... средней мощности от 0,3 до 10		» 501 » 599 » 601 » 699

Таблица 66

Напряжение ста­билизации, В	Обозначение третьего элемента при мощности стаби­литронов, Вт
	малой (до 0,3)	средней (от 0,3 до 5)	большей (более 5)
До 10	От 101 до 199	От 401 до 499	От 701 до 799
От 10 до 99	» 201 » 299	» 501 » 599	» 801 » 899
» 100 » 199	» 301 » 399	» 601 » 699	» 901 » 999

Четвертый элемент (буква) классифицирует диод внутри тех­нологического типа по одному или нескольким электрическим пара­метрам. В ряде случаев такая классификация осуществляется без буквы с помощью третьего элемента, тогда приборам одного типа, но с различными классификационными параметрами даются разные трехзначные номера в пределах соответствующей сотни. Иногда в конце обозначения ставят две буквы, последняя из которых может обозначать конструктивную модификацию данного диода. Например, КД202К означает кремниевый выпрямительный диод с допустимым средним прямым током до 10 А, разновидность К.

Наряду с приведенной системой обозначений выпускаются при­боры разработки до 1964 года с двух- и трехэлементной системой обозначений, в которой первый элемент — буква Дг присваиваемая диодам; второй элемент — число, означающее: 1 — 100 — точечные германиевые, 101 — 200 — точечные кремниевые, 201 — 300 — плоскост­ные кремниевые, 301 — 400 — плоскостные германиевые диоды, 401 — 500 — СВЧ смесительные детекторы, 501 — 600 — умножительные диоды, 601 — 700 — видеодетекторы, 701 — 749 — параметрические гер­маниевые, 750 — 800 — параметрические кремниевые, 951 — 1000 — тун­нельные диоды, 1001 — 1100 — выпрямительные столбы; третий эле­мент — буква А, Б ..., определяющая разновидность диодов данного типа. Например, Д226Е обозначает кремниевый выпрямительный диод, разновидность Е, а Д1010А — кремниевый выпрямительный столб.

 

Устройство и принцип действия генераторов

Общие сведения. Электронными генераторами гармонических колебаний называют автоколебательные системы, в которых энер­гия источников питания постоянного тока преобразуется в энергию незатухающих электрических сигналов переменного тока требуемой частоты. Электрические сигналы, формируемые генератором, должны быть стабильными по частоте и амплитуде, синусоидальными по форме. По принципу действия различают генераторы с самовозбуж­дением (автогенераторы) и с внешним (посторонним) возбуждением. Автогенераторы используют в качестве возбудителей колебаний требуемых частот, т. е. задающих генераторов. Получаемые от них колебания поступают в последующие каскады с целью усиления мощности или умножения частоты. Генераторы с внешним возбуж­дением являются по существу усилителями и служат для усиления мощности или умножения частоты высокочастотных колебаний.

Рис. 100. Схемы автогенераторов с индуктивной обратной связью: а — функциональная, б — транзисторная, в — ламповая

Автогенератор представляет собой резонансный усилитель (на-, грузкой служит резонансный контур) с положительной обратной связью (см. рис. 76, а), в котором выполнено условие самовозбуж­дения KР=1 (см. § 41). Если это условие выполняется только для одной частоты, генерируемые колебания имеют синусоидальную форму, если для многих частот, — сложную форму. Обычно это ус­ловие реализуется в генераторах релаксационных (несинусоидаль­ных) колебаний — мультивибраторах, блокннг-генераторах и др.

Принцип действия. Функциональная схема автогенератора (рис. 100, а) состоит из колебательной системы КС (обычно конту­ра), в которой возбуждаются требуемые незатухающие колебания; источника электрической энергии ИЭ (источника питания), благо­даря которому в контуре поддерживаются незатухающие колеба­ния; усилительного элемента УЭ (транзистора или лампы), с по­мощью которого регулируется подача энергии от источника в кон­тур; элемента обратной связи ЭОС, который осуществляет подачу возбуждающего переменного напряжения из выходной цепи во входную.

По способу осуществления обратной связи различают автоге­нераторы с индуктивной (трансформаторной или автотрансформа­торной) и емкостной ОС. Применяют также схемы двухконтурных генераторов с электронной связью и обратной связью через меж­дуэлектродные емкости.



Рис. 101. Изменение токов и напряжений в транзисторной (а) и лам­повой (б) схемах генератора

Схемы автогенераторов с индуктивной (трансформаторной) обратной связью показаны на рис. 100, б, в. При включении источ­ников питания в коллекторной (анодной) цепи транзистора (лам­пы) возникает ток коллектора, который заряжает конденсатор колебательного контура. После заряда конденсатор разряжается на катушку, В результате в контуре LK CK возникают свободные ко­лебания с частотой fо = 1/(2п\/ LKCK), индуктирующие в катушке связи Lc переменное напряжение той же частоты, с которой проис­ходят колебания в контуре. Это напряжение вызывает пульсацию тока коллектора (анода). Переменная составляющая тока воспол­няет потери энергии в контуре, создавая на нем усиленное тран« зистором переменное напряжение.

Процесс возникновения колебаний в генераторе показан на рис. 101, а, б. В начальный момент (при включении источника пи­тания) свободные колебания в контуре имеют малую амплитуду, поэтому индуктированное этими колебаниями напряжение возбуж­дения на базе транзистора Uб или сетке лампы Uc невелико. После усиления сигнала усилительным элементом ток в контуре iK(i*) воз­растает, в результате чего увеличивается амплитуда напряжения возбуждения U6(Ue), а следовательно, и амплитуда тока в контуре. В установившемся режиме рост тока в контуре ограничивается сопротивлением потерь контура а также затуханием, вносимым в контур за счет прохождения тока по обмотке ОС. Незатухающие колебания в контуре автогенератора установятся лишь при выпол­нении фазового (баланс фаз) и амплитудного (баланс амплитуд) условий самовозбуждения генератора.

Фазовое условие сводится к тому, что в схеме генератора долж­на быть установлена положительная ОС между выходной и вход­ной цепями транзистора (лампы).


В этом режиме обеспечивается восполнение потерь энергии в контуре. Фазовое условие самовоз­буждения выполняется, если суммарный сдвиг фаз усилительной цепи К и цепи обратной связи 0 (см. рис. 76) составляет 2лп, где-n=0, 1, 2... Фазовое условие удовлетворяется, если переменное напряжение на входе усилительного элемента изменяется в про-тивофазе с переменным напряжением на« контуре выходной цепи.

Обычно резонансное сопротивление параллельного контура име« ет чисто активный характер. При воздействии»на базу (сетку) сиг­нала с частотой, равной частоте резонанса, напряжение на коллек­торе (аноде) будет сдвинуто по фазе на 180° (как в обычном резиг сторном каскаде усиления). Напряжение, индуктируемое в обмотке обратной связи Lc за счет тока Iк, проходящего через контурную катушку LK, равно Uр=±jw0MIк, где М — коэффициент взаимоин­дукции между катушками. Правильная фазировка колебаний дости­гается соответствующим включением в схему концов катушки ОС, при котором U$ = — jwоМIк.

В этом случае общий фазовый сдвиг в схеме (см. рис. 76, а) фк+фр =0, т. е. установится положительная ОС.

Амплитудное условие самовозбуждения схемы состоит в том, что для возникновения автоколебательного режима затухание сиг­нала, вносимое цепью ОС, должно компенсироваться усилителем. Глубина положительной ОС должна быть такой, чтобы полностью восполнялись потери энергии в контуре. При положительной ОС коэффициент усиления (см. рис. 75) k$ =K/(1 — pK).

Коэффициент передачи цепи ОС, показывающий, какая часть переменного напряжения контура подается на базу (сетку) усили­тельного элемента в установившемся режиме работы генератора.



Учитывая, что усилитель с положительной ОС переходит в ре­жим генерации при условии k$ >1, коэффициент передачи цепи ОС, при котором обеспечивается самовозбуждение, р>1/Kуст. Для транзисторной схемы коэффициент усиления на резонансной часто­те в установившемся режиме



где S, Ri, м — статические параметры лампы. При удовлетворении условий баланса фаз и амплитуд в схеме автогенератора возможно установление колебательного режима.



Режимы возбуждения. Генерация колебаний зависит от выбора параметров контура и усилительного элемента, а также от началь­ного режима работы. При выборе исходной рабочей точки на пря­молинейной части характеристики получаем мягкий режим самовоз­буждения, при котором достаточно небольшого изменения тока, чтобы развивались колебания.



Рис. 102. Схемы автогенераторов с параллельным питаниемг а — транзисторная, б — ламповая

Если рабочая точка выбрана в области нижнего изгиба харак­теристик (при большом напряжении смещения), то крутизна мо­жет оказаться недостаточной для обеспечения генерации при выбран­ном значении коэффициента взаимоиндукции М. В этом режиме, называемом режимом жесткого самовозбуждения, возбуждение ге­нератора возможно лишь при большой амплитуде напряжения воз­буждения.

В транзисторной схеме автогенератора (см. рис. 100, б) для получения мягкого режима самовозбуждения ,на базу транзистора относительно эмиттера подают- начальное напряжение смещения EСм= — ER2 с делителя R1R2. По мере нарасташш амплитуды коле­баний начинает преобладать падение напряжения на резисторе Ra, поэтому в устанавившемся режиме смещение на базе станет поло­жительным: EСм=IэRэ — ЕВ2. При этом генератор переходит в более экономичный жесткий колебательный режим с малыми углами от­сечки коллекторного тока.

В ламповой схеме генератора (см. рис. 100, в) мягкое само­возбуждение с последующим переходом от мягкого режима к жест­кому осуществляется автоматически с помощью цепи Rc Cc, вклю­чаемой в цепь сетки. При этом лампа Л должна работать в режиме сеточных токов. В начальный момент смещение на сетке отсутству­ет, а крутизна велика. С ростом напряжения возбуждения появля-ется сеточный ток, который обеспечивает заданное смещение £см=«, :-=Iсо Rc.

Электропитание автогенераторов. Схемы автогенераторов (см. рис. 100, а — в) являются схемами с последовательным питанием. поскольку транзистор (лампа) и колебательный контур LK CK по отношению к источнику £к или Е& включены последовательно и через них проходит постоянная составляющая коллекторного (анод* ного) тока.


В этих схемах приближение руки к контуру LK CK (на­пример, при настройке) влияет на его емкость, а следовательно, и частоту. Кроме того, в ламповой схеме контур относительно корпуса находится под сравнительно высоким напряжением анодного источ­ника, что неудобно при обслуживании. Однако схема с последова-тельным питанием содержит меньше блокировочных элементов (кон­денсаторов, дросселей).

В схемах автогенераторов с параллельным питанием (рис. 102, а, б) транзистор (лампа), контур LKCK и источник пи­тания Ек(Еа) включены параллельно. Принцип действия генератора, собранного по этой схеме, в основном аналогичен принципу действия генератора с последовательным питанием. Разделение переменной и постоянной составляющих коллекторного (анодного) тока дости­гается заградительными дросселями L3 и конденсаторами Ср.. Пере­менная составляющая коллекторного (анодного) тока, для которой дроссель представляет большое, а конденсатор малое сопротивле­ние, в основном проходит через транзистор (лампу) и контур, вос­полняя в нем потери энергии. Если бы в схеме не было дросселя L3, переменная составляющая тока, замыкаясь через источник, не поступала бы в контур и возникновение колебаний было бы невоз­можно. При отсутствии в схеме конденсатора Ср постоянный ток от источника ЕК(Е&), замыкаясь через дроссель L3 и катушку LK, мог бы заметно возрасти и вызвать перегрузку источника и недо­пустимый нагрев катушек L3 и LK.

 

§ 50. Рабочие режимы генераторов

Исходный режим работы электронного генератора устанавлива­ется значением напряжения смещения, определяющего положение рабочей точки на характеристиках. Различают два основных режима работы электронных генераторов: колебаний I рода и колебаний II рода. Режим колебаний I рода получают при «малом» сигнале, когда генератор работает с углом отсечки 6=180° (режим А). При «большом» сигнале генератор работает с нижней отсечкой коллек­торного (анодного) тока с в=90°. Импульсы тока в этом режиме относят к колебаниям II рода, а работу транзисторов (ламп) — к режиму В (при 0=90°) или к С (при 0<90°).


Для генераторов о внешним возбуждением, используемым в качестве усилителей мощ­ности, предпочтительны режимы В и С, при которых обеспечивается более высокий коэффициент усиления и кпд.

В транзисторных схемах при открытом эмиттерном переходе транзистор может находиться в активном состоянии или в насыще­нии. По этому признаку применяемые в генераторах режимы рабо­ты можно разделить на недонапряженный, критический и перена­пряженный. Если рабочая точка в период колебаний находится в активной области А семейства коллекторн-ых характеристик (рис. 103, а), режим работы генератора является недонапряженным, кото« рый характеризуется относительно малым током базы, косинусо-идальной формой импульса коллекторного тока, большой мощностью рассеивания на коллекторе и малым кпд выходной цепи.

При заходе рабочей точки в период колебаний в область насы­щения Я режим работы генератора становится перенапряженным, который характеризуется относительно большим током базы (вследствие чего в верхней части импульса коллекторного тока по­является характерный провал, рис. 103,6), высоким кпд выходной цепи, незначительным влиянием изменений нагрузки на выходное на­пряжение. Недостатком перенапряженного режима является рост мощностей возбуждения и их рассеивания во входной цепи, а так­же некоторое снижение колебательной мощности и коэффициента усиления.

Между рассмотренными предельными режимами лежит критический (оптимальный) режим, которому соответствует линия критического режима, проходящая через точки резкого спада коллектор­ного тока (прямая 1 на рис. 103, а). В этом режиме токи базы от­носительно невелики и не вызывают существенных искажений формы импульса коллекторного тока, невелика и мощность возбуждения, а мощность и кпд выходной цепи близки к максимальным.

Иногда на семействе коллекторных характеристик приводится линия параметрического режима IK=Ф(UKa), указывающая зависи­мость усилительных свойств транзистора от коллекторного тока и напряжения (прямая 2 на рис. 103,а).


По ходу этой линии лежит область граничного режима работы генератора. Слева от линии ле­жит область параметрического режима с резко меняющейся зави-симрстью параметров транзистора от режима работы, а справа — область допараметрического режима, которой присуще постоянство параметров транзистора.



Рис. 103. Статические характеристики транзистора (а) и перена­пряженного режима (б), графики коэффициентов разложения им­пульсных токов (в)

При работе с нижней отсечкой коллекторный ток имеет форму периодически повторяющихся импульсов. При подаче косинусо-идального возбуждающего напряжения и работе в недонапряженном режиме каждый импульс коллекторного тока представляет собой часть косинусоиды. Известно, что всякая периодическая функция может быть разложена в тригонометрический ряд Фурье. Вследствие этого последовательность периодически повторяющихся импульсов коллекторного-тока можно представить в виде суммы, содержащей постоянную составляющую Iко (среднее значение) рассматриваемого тока и ряд переменных составляющих (гармоник) IK1m, Iк2т,..., Iктп.

Гармонический состав импульсов коллекторного тока и их ам­плитуды существенно зависят от угла отсечки  0 и максимального значения 1кт импульса тока. Максимальный ток 1кт в импульсе в критическом и недонапряженном режимах определяют по семейству статических характеристик транзистора при напряжениях Uбмакс=EЭ6-Uбт и Uк мин = Uкт - Ек. Компоненты коллекторного тока -постоянную составляющую Iко, амплитуду первой, 1к1т, второй IK2m и других гармоник — определяют по наибольшему значению кол­лекторного тока в импульсе 1кт и коэффициентам разложения

Iко=аоIкт; Iкип = а1Iкт,..., Iкп=апIкт, где ао, а1..., ап — коэффи­циенты разложения косинусоидального импульса тока, определяе­мые по специальным таблицам А. И. Берга или номограммам в за­висимости от угла отсечки 6 (рис. 103, в).

 

Варикапы

Варикапы применяют для осуществлений частотной и амплитуд­ной модуляции, а также в .схемах автоподстройки частоты (АПЧ) для перестройки резонансной частоты контура. Если эти.приборы используют в устройствах параметрического усиления и умножения частоты (обычно в СВЧ-диапазоне), их называют варакторами. Принцип их действия основан на изменении барьерной емкости Се . p-n-перехода при изменении на нем обратного напряжения U0бр (рис. 46,а). Варикапы характеризуются следующими параметрами.

Емкость С перехода при заданном обратном напряжении У0бр.

Коэффициент перекрытия Кс — отношение максимальной к ми­нимальной емкости варикапа.

Температурный коэффициент емкости ТКЕ — относительное из­менение емкости варикапа при изменении температуры окружающей среды на 1 °С.

Добротность варикапа, Q; на низких частотах Qн=wСrДИФ, а на высоких частотах Qв=1/(wrбС).

Максимальные напряжения, мощности и тепловые параметры у варикапов те же, что и у выпрямительных диодов.

Кремниевые варикапы Д901 (А — Е) выпускают в металлическом герметичном корпусе (рис. 46,6) массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +85°С. Электрические параметры варикапов приведены в табл. 91.

Таблица 91

Параметры	Типы варикапов
	Д901А	Д901Б .	Д901В	Д901Г	Д901Д	Д901Е
Емкость, пФ, при Uобр=4 В, f=50 МГц и температуре 20 °С	22 — 32	22-32	28 — 38	28 — 38	34 — 44	34 — 44
Добротность при Uобр = 4 В, f=50 МГц и температуре 20 °С	25	30	25	30	25	30
Коэффициент перекрытия по емкости	4	3	4	3	4	3
Постоянное обратное напряжение, В	80	45	80	45	80	45
Мощность рассеивания, мВт, при температуре от — 60 до +25 °С	250	250	250	250	250	250
Температурный коэффициент емко­сти, 1/°С: при Uобр = 4 В	5- 10-4	5- 10-4	5*10-4	5- 10-4	5*10-4	5- 10-4
при Uобр =40 В	2-10-4	. 2- 10-4	2-10-4	2-10-4	2*10-4	2-10-4

Рис. 46. Вольтфарадная характеристика (а) и общий вид варикапов (б — е)

Кремниевые варикапы KB 103 (А, Б) испрльзуют для умножите­лей частот и выпускают в металлическом корпусе (рис. 46, в) с винтом, массой 15 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры варикапов приведены в табл. 92.

Таблица 92

Параметры	Типы варикапов
	KB 103А	КВ103Б
Емкость, пФ, при UобР=4 В, f=1-10 МГц	18 — 32	28 — 48
Добротность при Uобр = 4 В и f=50 МГц	40	50

Обратное напряжение, В, при температуре от — 40 до +85 °С....................80

Обратный ток, мкА, при UобР=80 В и температуре, °С:

+25 и — 40...............10

85.................150

Мощность рассеивания, Вт, при температуре корпуса от — 40 до +50 °С.............. 5

Таблица 93

1 параметры	Типы варикапов
	КВ105А		КВ105Б
Емкость, пФ, при Uобр = 4 В	400 — 600		400 — 600
Добротность при Uобр =4 В и f=1МГц	500		500
Коэффициент перекрытия по емкости	3,8		3
Постоянное обратное напряжение, В, при температуре от — 60 до +100°С Мощность рассеивания, мВт, при тем­пературе, °С: от — 60 до +50	90 150		50 150
от 50 до 100	150 — 1,5 (T — 50)
Температурный коэффициент емкости, 1/°С, в рабочем диапазоне температур при Uобр = 4 В	5*10-4
Обратный ток, МКА, при U0бр макс и температуре +25 и — 60 °С	50		1 50
Параметры		Типы варикапов
		КВ105А		KB 106 Б
Емкость, пФ, при Uобр=4 Б, f=1-10 МГц И Uт<0,1 В		20 — 50		15 — 35
Добротность при Uобр=4 В, f=50 МГц и Um<0,l В		40		60
Обратное напряжение, В (любой формы и пе­риодичности) при температуре корпуса «т — 55 до + 120°С		120		90
Мощность рассеивания, Вт, при температуре от — 55 до +75°С		7		5
Постоянный обратный ток, мкА, при макси-мальном обратном напряжении и температу­ре от +25 до — 55 °С		20

Таблица 95

Параметры	Типы варикапов
	КВ107А	КВ107Б	КВ107В	КВ107Г
Емкость, пФ	10 — 40	10 — 40	30 — 65	30 — 65
Добротность при f=10 МГц	20	20	20	20
Постоянное обрат­ное напряже­ние, В, при ра­бочей темпера­туре	1,5UR1 + +2,5	1,5UR2+ +4	1,5UR1+ +2,5	1,5UR2+ +4
Постоянный обрат­ный ток, мкА, при Uобр макс и температуре, °С:
25	100
70	2000
— 40	1500
Мощность рассеи­вания, мВт, при температуре от — 40 до +50°С	100
Напряжения uri и U т (в начале рабочего участ­ка), В, при ко­торых изменяет­ся (уменьшает­ся) .емкость ва­рикапа)	2-9	6 — 18	2 — 9	6 — 18

Кремниевые диффузионно-сплавные варикапы KB 105 (А, Б) вы­пускают в металлическом корпусе (рис. 46, г) с гибкими выводами, массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +100°С. Электрические параметры варикапов приведены в табл. 93.

Кремниевые эпитаксиально-диффузионные варикапы KB 106 (А, Б) используют для работы в умножителях частоты и выпускают в металлическом корпусе (рис. 46, д) с винтом, массой 15 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 60 до 4-100°С. Электрические пара­метры варикапов приведены в табл. 94.

Кремниевые эпитаксиально-диффузионные варикапы KB 107 (А — Г) выпускают в металлическом корпусе (рис. 46, е) массой 1 г, с ди­апазоном рабочих температур от — 40 до +70°С. Их плюсовой вы­вод маркируется красной точкой. Электрические параметры варика­пов приведены в табл. 95.

Кремниевые зпитаксиально-планарные варикапы KB 110 (А — Е) выпускают в стеклянном корпусе (см. рис. 41, г) с гибкими вывода­ми, массой 0,25 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры варикайов приведены в табл. 96.

Таблица 96

Параметры	Типы варикапов
	КВ110А	КВ110Б	КВ 110В	КВ110Г	КВ110Д	KB110Е
Емкость, пФ, при	12 — 18	14 — 21	17 — 26	12 — 18	14 — 21	17 — 26
Uовр =4 В			%
Добротность при	300	300	300	150	150	150
UовР = 4 В и f=50 МГц

Обратное напряжение любой формы и периодич­ности, В............... 45

Постоянный обратный ток, мкА, при UОбр=4 В и температуре, °С:

25................. 1

125................. 100

 — 60................ 15

Мощность рассеивания, мВт, при температуре от — 60 до +50°С . ........... 100

Входные устройства приемников

Входными называют устройства, связывающие вход приемника с его первым каскадом. К, ним относят контуры настройки (колеба­тельные контуры), настраиваемые на частоту принимаемого сигнала и выполняющие функции избирательного элемента приемника, а так­же элементы связи этих контуров как с антенной, так и с первым каскадом приемника.

Рис. 112. Схемы связи одноконтурной входной цепи с антенной,-а — емкостная, б — индуктивная, в — индуктивно-емкостная

Контуры настройки. Колебательные контуры входных устройств выделяют напряжение принимаемого сигнала и подают его на уп­равляющий элемент транзистора или лампы первого каскада при­емника. Различают одноконтурные (рис. 112, а, 6, в) и многоконтур­ные входные цепи. В многоконтурных цепях связь между контура­ми может быть емкостной (рис. ИЗ, а), индуктивной или индуктив­но-емкостной (рис. 113,6).

Контур настройки определяет диапазон приемника. Коэффици­ент перекрытия диапазона контуром Kп=fмаксfмин, где fмакс и fмин — соответственно максимальная и минимальная частоты диапазона. МГц.

Входные устройства повышают избирательность и ослабляют специфические для супергетеродинного приема помехи по зеркаль­ному каналу. Для лучшего ослабления помех настроечные контуры должны обладать высокой добротностью. Добротность входных кон­туров супергетеродинных приемников для СВ и ДВ при различных значениях верхней граничной частоты f„ полосы пропускания звуко­вых частот приведена в табл. 135.

Рис. 113. Схемы связи контуров в многоконтур­ных цепях:

а — емкостная, б — индук­тивно-емкостная

Коротковолновый диапазон при обычном значении коэффициен­та перекрытия охватывает много участков, отведенных для работы радиовещательных станций, что затрудняет настройку. Для удобства настройки применяют растянутые КВ-поддиапазоны, уменьшая ис­кусственно-их коэффициент перекрытия. Растяжка достигается путем уменьшения перекрытия по емкости конденсаторов настройки. При этом шкала поддиапазона растягивается в 20 — 25 раз и охватывает 400 — 600 кГц вместо обычных 9 — 10 МГц.

Таблица 135

Диапазон	Число вход­ных контуров	Добротность контуров при верхней граничной час­тоте fв полосы пропускания, Гц в
		6000	4000	3000
ДВ	1 2	22 12	30 20	45  25
CB	1 2	35 20	50  30	70 45

Входные цепи УКВ-диапазона. Для приема УКВ применяют сим­метричные вибраторы и симметричные шлейфные антенны, индуктив­но связываемые с входными контурами приемника (рис. 114,а). Ка­тушку связи L1 для сохранения симметрии изолируют от земли или заземляют ее среднюю точку.

В радиовещательных АМ-ЧМ приемниках обычно устраивают не­большую внутреннюю шлейфную .антенну УКВ-диапазона, которая может быть использована также для приема мощных станций дру­гих диапазонов. С этой целью среднюю точку катушки связи L1 внутренней УКВ-антенны соединяют с катушками ДВ-, СВ- и КВ-диапазонов (рис. 114,6).



Рис. 114. Входные уст­ройства УКВ-диапазона:

a — c заземленной средней точкой катушки связи, б — с подключением тракта ДВ, СВ, KB

Связь входного контура с антенной. Чаще всего используются емкостная и индуктивная связи входного контура с антенной и реже индуктивно-емкостная связь.

Емкостная связь (см. рис. 112, а) проста по устройству, позволя­ет при относительно малой емкости конденсатора связи (Ссв=5-*--30 пФ) получить достаточное усиление и малую зависимость на­стройки приемника от параметров антенны. Однако при емкостной связи велика неравномерность передачи напряжения по диапазону (рис. 115, кривая 1), поэтому эту связь используют при малых зна­чениях коэффициента перекрытия диапазона (при растяжке).

Индуктивная связь (см. рис. 112,6) осуществляется с помощью катушки связи LСв, имеющей большую индуктивность, чем катушка входного контура. Катушка связи и определяет собственную частоту антенной цепи, которую обычно выбирают меньше минимальной частоты рабочего диапазона fмин (см. рис. 115). При этом уве­личивается передача напряжения на низших частотах и умень­шается на высших (кривая 2). Неравномерность передачи напря­жения по диапазону при индуктивной связи получается относи­тельно небольшой, поэтому ее используют часто.


Конденсатор Со (см. рис. 112,6) служит для защиты приемника от переменного то­ка в случае замыкания антенны с электросетью.

 




Рис. 115. Характерис­тики передачи напря­жения по диапазону частот

Индуктивно-емкостная связь с антенной (см. рис. 112, в) обеспе­чивает более равномерное усиление по диапазону, чем индуктивная и емкостная. Благодаря индуктивной свя­зи возрастает усиление на нижних час­тотах, благодаря емкостной — на верх­них частотах диапазона, вследствие чего выравнивается характеристика усиления. Входные устройства с магнитной антенной. В современных радиовеща­тельных приемниках часто используют входные цепи, совмещенные с магнит­ной антенной, которая представляет со­бой ферритовый стержень с намотанны­ми на нем контурными катушками со­ответствующего диапазона.

На рис. 116, а, б показаны схемы контуров магнитных антенн А для при­ема сигналов ДВ- и СВ-диапазонов транзисторного приемника. Катушки связи L3 и L4 входных конту­ров с первым каскадом приемника размещаются между контурны­ми катушками L1 и L2 или наматываются поверх последних. Пере­ход с одного диапазона на другой осуществляют переключением как катушек входного контура L1 и L2 с подстроечными конденсаторами С2 и СЗ, так и катушек связи L3 и L4. Иногда для приема в ДВ-диа-пазоне в контур включают последовательно две катушки индуктив­ности Ы, L3, а при переходе на СВ катушку L2 замыкают накорот­ко контактами переключателя диапазонов.



Рис. 116. Схемы включения катушек магнитной антенны в контур

транзисторного приемника: а — одной, б — двух

Пределы настройки резонансных контуров магнитных антенн супергетеродинных приемников не должны выходить за пределы стандартных радиовещательных диапазонов (для СВ 1605 — 525 кГц, для ДВ 408 — 150 кГц). При несоблюдении этого требования резо­нансная частота входного контура приемника может приблизиться к промежуточной частоте 465 кГц и привести к самовозбуждению в его преобразовательном каскаде.



Для каждого участка КВ-диапазона может быть применейа от­ дельная контурная катушка. Если же магнитная антенна рассчитана для приема сигналов на относительно узких участках КВ-диапазона (например, шириной до 0,5 МГц), то в антенном контуре можно применить лишь одну катушку для всех участков. В этом случае к катушке подключают конденсаторы с такими емкостями, при кото­рых каждый образующийся контур будет настраиваться на фикси­рованные средние частоты выбранного при настройке участка, на­пример в радиовещательном диапазоне на средние частоты 70 (4,25); 49 (6,05); 41 (7,35); 31 (9,65); 25 м (11,85 МГц).

Ферритовая антенна обладает ярко выраженной направлен­ностью. Для получения максимального сигнала антенну нужно на­правлять так, чтобы ось ферритового стержня была перпендикуляр­на направлению на- принимаемую станцию. Действующая высота ферритовой антенны мала, что снижает чувствительность приемни­ка. Поэтому для приема удаленных радиостанций даже в перенос* ных приемниках предусмотрена возможность подключения внешней антенны.

 

Выходные каскады усилителей

Назначение выходных каскадов. Выходной каскад предназначен для отдачи в нагрузку заданной мощности сигнала при высоком кпд и минимальном уровне нелинейных и частотных искажений. Основными эксплуатационными показателями выходного каскада являются отдаваемая в нагрузку полезная мощность и кпд, качест­венными — уровень нелинейных искажений и полоса пропускания. Нелинейные искажения и кпд каскада зависят от выбора рабочей точки транзистора (электронной лампы). При большой величине сигнала нелинейные искажения в выходных каскадах на транзи­сторах возникают из-за нелинейности входных и выходных характе­ристик. При жестких требованиях к уровню нелинейных искаже­ний выходной каскад используют в режиме А, для получения высо­кого кпд — в режимах АВ и В. ,

Рис. 86. Схемы включения нагрузки в выходные каскады:

а — с непосредственным подключением, б — через резисторно-емкостное устрой­ство, в — с помощью трансформатора и дросселя

Способы подключения нагрузки. По способу подключения нагруз­ки различают выходные каскады с непосредственным включением нагрузки, резисторные, трансформаторные и дроссельные.

При непосредственном включении нагрузки в выходную цепь усилительного элемента (рис. 86, а) без выходного устройства уп­рощается схема усилителя, отсутствуют дополнительные потери, а также нелинейные и частотные искажения, которые вносятся вы­ходным устройством. Недостатками непосредственного включения нагрузки являются прохождение через нагрузку постоянной состав­ляющей тока питания и невысокий кпд схемы (около 20 % в тран­зисторах и 10:% в ламповых схемах усиления).

В резисторных выходных каскадах (рис, 86, б) нагрузка включа в выходную цепь через резисторно-емкостное - выходное уст­ройство. Ток питания через нагрузку не проходит, в схеме отсутству­ют дорогие громоздкие детали; обеспечивается пропускание широ­кой полосы рабочих частот. При включении нагрузки через RС-эле-менты кпд схемы мал (порядка 5 — 6 % на транзисторах и еще меньше в ламповых каскадах), поэтому такое включение целесооб­разно лишь при небольшой выходной мощности.

Трансформаторные и дроссельные выходные каскады (рис. 86, в) позволяю т получить в нагрузке наибольшую неискаженную мощ­ность. При трансформаторном подключении нагрузки постоянная составляющая выходного тока не проходит через сопротивление на­грузки, поэтому .уменьшается расход потребляемой мощности пи­тания и повышается кпд. Трансформаторный каскад может обес­печить относительно высокий кпд при различных нагрузках.

Схемы выходных каскадов. Выходные каскады могут быть одно-тактными или двухтактными. Однотактные каскады используются при относительна малых выходных мощностях, двухтактные — при больших. В однотактных схемах транзисторы работают в режиме А, в двухтактных — в режимах А, АВ или В. Наиболее экономичной является двухтактная схема выходного каскада, работающая в ре­жиме В.

В зависимости от требований к отдаваемой мощности и уровню нелинейных искажений-транзисторы в выходных каскадах могут работать с ОЭ или ОБ. Электронные лампы в выходных каскадах обычно включают с общим катодом, что позволяет осуществить возбуждение сигналов с малой амплитудой. Схема с ОЭ обеспечи­вает наибольшее усиление по мощности, однако в ней возрастают нелинейные искажения, а также неэкономичны по потреблению энергии цепи стабилизации режима. В схеме с ОБ транзисторы мо­гут работать с большим напряжением на коллекторе и иметь срав­нительно линейную переходную характеристику. Схема с ОБ поз­воляет получить меньший коэффициент нелинейных искажений и стабильный режим работы каскада при изменениях температуры, напряжения питания и замене транзистора. В схеме с ОБ велик входной ток сигнала, что требует отдачи большей мощности пред­варительным каскадам и заставляет выполнять их с транформаторным выходом.

Однотактные выходные каскады. Схемы однотактных выходных каскадов с трансформаторным включением нагрузки с ОЭ и ОБ (рис. 87, а, б) могут быть использованы лишь в режиме А. Для уменьшения коллекторного тока, вызванного изменениями режима, в схемы введены элементы Rэ, Сэ эмиттерной стабилизации.


В схеме с ОБ (см. рис. 87, б) сопротивлением эмиттерной стабилизации является активное сопротивление вторичной обмотки трансформа­тора Tpl; если его недостаточно, в цепь эмиттера дополнительно включают резистор Rэ и шунтируют по переменному току конден­сатором Сэ.

Обычно оптимальное сопротивление нагрузки выходной цепи для транзисторов составляет десятки — сотни омов, для электрон­ных ламп — единицы килоомов, а сопротивление внешней нагрузки усилителя — единицы — десятки омов (например, сопротивление звуковой катушки головки динамического громкоговорителя 3 — 10 Ом). Непосредственное включение низкоомного сопротивления нагрузки в выходную цепь усилительного элемента вызовет умень­шение мощности, отдаваемой усилителем в нагрузку, а также рост нелинейных искажений. Трансформаторное включение нагрузки обеспечивает согласование фактической нагрузки усилителя с оп­тимальной нагрузкой выходной цепи усилительного элемента.



Рис. 87. Схемы однотактных выходных каскадов: а — с ОЭ, б — с ОБ

Однотактные выходные каскады имеют малый кпд. Использова­ние в схеме более мощных транзисторов позволяет повышать от­даваемую неискаженную мощность. Однако кпд при этом не по­вышается, а наличие большого подмагничивающего тока в первич­ной обмотке трансформатора снижает индуктивность и тем самым ухудшает передачу низших частот. Лучшие показатели можно по­лучить от выходного каскада, выполненного по двухтактной схеме.



Рис. 88. Схемы двухтактных усилителей: а — транзисторная, б — ламповая

Двухтактные выходные каскады. Двухтактные трансформатор­ные усилители (ДТУ) позволяют получить большую выходную мощность полезного сигнала. Выходная мощность каскада опреде­ляется типом усилительных приборов и режимом их работы; кпд зависит только от режима работы.

Схема ДТУ состоит из двух идентичных однотактных усилите­лей (плеч) на транзисторах (рис. 88, а) или электронных лампах» (рис. 88, б), работающих на общую нагрузку. Плечи электрически симметричны (имеют одинаковые параметры усилительных элемен­тов и режимы их питания).



При подаче на входной трансформатор ТрГ усилителя пере­менного синусоидального напряжения (см. рис. 88, а) снимают с его вторичных полуобмоток равные, но противофазные (сдвинуты на 180°) напряжения UBX1 и UBX2 (рис. 89, а), которые действуют .в Каждом плече между базой и эмиттером транзисторов VI и V2. Токи iK1 и iк2 в коллекторной цепи каждого транзистора в схеме с ОЭ противоположны по фазе управляющим напряжениям на базе (см. рис. 88, а, б), поэтому сдвиг фаз между токами iк1 и шK2 соста­вит также 180° (см. рис. 89): iK1 = IoK1+IKimSinwt; iк2=Iок2 —  IK2mSin wt.

Через первичную обмотку выходного трансформатора Тр2 кол­лекторные токи транзисторов VI и V2 проходят в противоположи ных направлениях, поэтому магнит­ные потоки, создаваемые ими в сер­дечнике трансформатора, будут иметь результирующий сдвиг по фазе 360° (на 180° они сдвинуты за счет сдвига напряжений на базах и еще на 180° из-за прохождения токов iK1 и t*K2 в противоположных направле­ниях). Переменный магнитный поток в сердечнике и ток вторичной обмот­ки Тр2 (ток нагрузки) пропорцио­нальны разности токов: Ф=KПр(iк1 — ikz) = Дпр(Iок1+Iк1т Sin wt —> Iок2 +Iк2т sin wt), где Kпр — коэффици­ент пропорциональности.

При идентичности плеч постоян­ные составляющие коллекторного то­ка равны Iок1=Iок2. Эти токи прохо­дят по первичной обмотке выходного трансформатора Тр2 в противополож­ных направлениях, поэтому намагни­чивающие силы этих токов взаимно компенсируются вследствие чего вы­ходной трансформатор работает без постоянного подмагничивания.



Рис. 89. Напряжение (а) и токи (б) в двухтактной схе­ме в режиме В

Поскольку Iк1т=Iк2т=Iкт, переменный магнитный поток Ф= Кпр(1к1т Sin wt + Iк2т sin wt) = 2KПрIкт sin wt.

Во вторичной обмотке выходного трансформатора под действи­ем этого потока будет индуктироваться эдс, пропорциональная удвоенной амплитуде переменного коллекторного тока. В резуль­тате мощность, отдаваемая двухтактным усилителем, будет вдвое больше мощности, отдаваемой транзистором каждого плеча каскада.



В Двухтактной схеме Компенсируются четные гармоники усили­ваемого тока. Гармоники совпадают по фазе, но проходят в-проти­воположных направлениях по полуобмоткам трансформатора Тр2$ вследствие чего компенсируются их магнитные потоки и уменьша­ются нелинейные искажения усилителя. Уровень нелинейных иска­жений возрастает при несимметрии схемы (неидентичности пара­метров транзисторов или ламп в плечах схемы).



Рис. 90. Графики токового напряжения в двухтактной схеме в ре­жиме В

Двухтактные выходные каскады допускают использование ре­жимов А, АВ и В. Наиболее часто они работают в режиме В, при котором рабочая точка выбирается в области отсечки коллекторного тока-(см. рис. 80,6). В исходном состоянии в этом режиме тран­зисторы закрыты. При подаче даже слабого сигнала один из тран­зисторов открывается. Смена состояний транзисторов будет проис­ходить через половину периода усиливаемых колебаний.

Графики физических процессов в ДТУ, работающем в режиме В, показаны на рис. 90. Для более эффективного использования транзисторов выбирают напряжения UKm=EK, Iкт=Iк.макс, т. е. на­пряжение питания и амплитуду выходного тока ограничивают зна­чениями Eк<Uк.макс; Iкт+Iк.мин<Iк.макс. Поскольку плечи работают поочередно, каждое плечо отдает мощность Р' = Р" = Pн/2n.

Мощность, отдаваемая всем каскадом, Р=Рн/nтр=0,5 IктUкт,

где Iкт = Iк.макс — Iк.мин; Uкт = Eк — (Uк.мин+АEк).

Мощность, потребляемая от источника питания обоими тран­зисторами Ро = 2Eк(Iк.ср + Iк.мин), где 1«.ср = 1кт1п — постоянная составляющая полусинусоидального импульса выходного тока с ам­плитудой Iкт.

Электрический кпд каскада (без учета потерь в трансформа­торе)



здесь Uкт/Eк=Е — коэффициент использования коллекторного ис­точника. При Iкт>пIк.мин кпд nв~пз/4; при полном использовании коллекторного источника (з=1) кпд nв=nмакс=п/4=0,786, т.; е. 78,6%.

Мощность, выделяемая на коллекторах обоих транзисторов, 2РК=Р0 — P=PI(nв — Р)=Р(1 — nв)/nв.


Чтобы избежать перегрузки транзисторов, мощность, отдаваемая нагрузке двухтактным выход­ным каскадом в режиме В, Рк.макс> (0,25-0,3) РН/nТР. При большом уровне входного сигнала транзисторы большую часть полуперио­да работают в режиме насыщения с верхней отсечкой коллекторного тока, форма выходного сигнала приближается к прямоугольной.

При этом кпд может достигать 90 — 95 %, а мощность в нагрузке в 10 — 20 раз превышает мощность рассеивания на коллекторе.



Рис. 91. Бестрансформаторные выходные каскады усилителей:

а — на разноструктурных транзисторах, б — на составных транзисторах

К преимуществам двухтактных схем относят: уменьшение не­линейных искажений по сравнению с однотактными схемами при одинаковой полезной мощности; отсутствие подмагничивания сер­дечника выходного трансформатора, что облегчает его конструкцию; меньшую чувствительность к пульсациям питающего напряжения, фону вследствие компенсации магнитных потоков, возбуждаемых противофазными коллекторными токами; снижение влияния на каскады предварительного усиления через источники питания из-за компенсации токов сигнала в питающих проводах, что позволяет упростить развязывающие фильтры.

Бестрансформаторные выходные каскады. Эти каскады выпол­няются на транзисторах с одинаковыми параметрами, но с различ­ным типом проводимости (со структурами р-n-р и n-р-n, рис. 91, а). При этом отпадает потребность во входном трансформаторе, ин­вертирующем сигнал на входе каскада. В такой схеме из-за различ­ной проводимости транзисторы будут работать поочередно при по­даче на вход переменного напряжения от обычного .усилительного каскада. Небольшое напряжение питания позволяет исключить и выходной трансформатор.

Бестрансформаторные каскады просты в исполнении, высоко­стабильны, малогабаритны, однако имеют меньший коэффициент |усиления по мощности, значительные нелинейные искажения, потреб­ляют большую мощность предоконечных каскадов. Нелинейные ис­кажения можно скомпенсировать введением более глубокой ООС.

Схемы бестрансформаторных выходных каскадов на составных транзисторах с различным типом проводимости (рис. 91, б) обеспе­чивают более высокую чувствительность (за счет большего усиления по мощности) и меньшие нелинейные искажения.

Высокочастотного тракта приемника

Регулировка усиления. Для обеспечения постоянного уровня выходного сигнала в приемниках используют регуляторы усиления и громкости. Различают ручные и автоматические регулировки усиле­ния (АРУ).

Регулировку усиления можно осуществить изменением проводи­мости прямой передачи транзистора (крутизны лампы), меняя сме­щение на его базе (сетке лампы). С этой целью выпрямляют выход­ное напряжение тракта промежуточной частоты и подают его в ка­честве добавочного смещения на базу (сетку) электронных приборов регулируемых каскадов. При увеличении амплитуды входного сиг­нала возрастает напряжение смещения в регулируемых каскадах и снижается их усиление, обеспечивая постоянство уровня выходного сигнала. В зависимости от режима работы различают простые, с задержкой и усиленные АРУ.

Простая АРУ осуществляется изменением проводимости прямой передачи транзистора регулируемого усилительного каскада за счет изменения напряжения на базе. Управляющее напряжение системы АРУ создается детектированием напряжения промежуточной час­тоты.

АРУ с задержкой обеспечивает больший диапазон регулирова­ния усиления УПЧ при изменениях напряжения сигнала. Схема АРУ с задержкой транзисторного приемника показана на рис. 130. Уп­равляющее напряжение Uу системы АРУ создается на нагрузочном резисторе Rн за счет детектирования напряжения промежуточной частоты диодом V3. Чтобы обеспечить задержку работы АРУ, в цепь диода V3 включают эмиттерный резистор Ra регулируемого каскада на транзисторе VI. Постоянное напряжение, возникающее на этом резисторе, своим отрицательным потенциалом приложено к аноду диода V3 и удерживает его в закрытом состоянии. Ток в цепи диода появится лишь в том случае, когда напряжение сигнала U3, снимаемое с катушки связи LCВ2, питающей выпрямитель АРУ, превысит напряжение Uэ=IкRэ, которое определяет порог срабаты­вания системы АРУ, т.е. U3.пор=Uэ. Управляющее напряжение в схеме Uy=(U3 — U3)Kv3= (Ua — U3.nop)Kv3, где Kva — коэффициент передачи детектора V3.

С ростом напряжения сигнала ( 73 увеличивается управляющее напряжение, уменьшается эмиттерный ток регулируемого каскада.



Рис. 130. Схема АРУ с задержкой

При этом снижается эмиттерное напряжение U9, являющееся напря­жением задержки, следовательно, дополнительно увеличиваются управляющее напряжение Uу и диапазон регулирования усиления каскада.

Индикаторы настройки. Схема индикатора настройки транзис­торного приемника на светодиоде показана на рис. 131. Через ре­зистор R2 и коллекторный переход транзистора V2 проходит часть постоянной составляющей выходного тока детектора, выполненного на диоде VI. При изменении интенсивности ВЧ-сигнала изменяется эта часть составляющей, а также эмиттерные токи транзисторов V2, V3 и проходящий через, светодиод V4 коллекторный ток транзис­тора V3. Если приемник точно настроен на частоту принимаемого сигнала, выходной ток детектора, а следовательно, и ток, проходя­щий через светодиод, максимальны и светодиод светится наиболее ярко. Стабилизация режима работы транзисторов при изменениях питающего напряжения обеспечивается в схеме стабилитроном V5.



Рис.131. Схема индикатора настройки

---

---